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サファイアウエハー (m) は、LP-MOCVDによるMgZnO薄膜 (半導体発光素子関連) の下地基板として、非常にポピュラーな材料です。
結晶育成法
キロプロス
面精度
=+/-0.3°
外径公差
=+/-0.1mm
厚み公差
=+/-25um
オリフラ
(0001)(+/-0.2°),16mm
面粗さ
エピ面Ra<0.2nmfinegroundRa=0.8~1.2um程度
TTV,WARP,BOW
<10um
型番
サファイアウエハー 単結晶 (m) 2"φ x 0.43mm tカテゴリ
| 商品画像 | 価格 (税抜) | 結晶育成法 | 面精度 | 外径公差 | 厚み公差 | オリフラ | 面粗さ | TTV,WARP,BOW | その他 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
要見積もり | キロプロス | =+/-0.3° | =+/-0.1mm | =+/-25um | (0001)(+/-0.2°),16mm | エピ面Ra<0.2nmfinegroundRa=0.8~1.2um程度 | <10um |
Class100クリーンルームにて洗浄・梱包 |
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