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パワーMOSFET XP151A11B0MR シリーズ-トレックス・セミコンダクター株式会社

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この製品について

■20V 1A N-ch パワーMOSFET

XP151A11B0MRは、低オン抵抗、超高速スイッチング特性を実現したNチャネルパワーMOS FET です。スイッチング速度の高速化ができ、セットの高効率化、省エネルギー化を図ることが可能です。静電対策としてゲート保護ダイオードを内蔵しております。

  • 型番

    XP151A11B0MR-G

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パワーMOSFET XP151A11B0MR シリーズ XP151A11B0MR-Gの性能表

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使用用途

#電源供給 #モーター駆動 #バッテリー充電 #照明制御 #空調制御 #産業機器制御 #自動車電装 #医療機器電源 #家電機器制御 #エネルギー変換 #再生可能エネルギー制御

搭載素子構成

IGBTモジュール MOSFETモジュール ダイオードモジュール ハイブリッドモジュール

モジュール構造

ブリッジ型 多相統合型

入力電圧範囲 V

0 - 100 100 - 250 250 - 450

出力容量 W

0 - 100 100 - 700

耐電圧 V

0 - 700 700 - 1,300 1,300 - 1,800 1,800 - 4,300

効率 %

87 - 90 90 - 96

出力電圧 %

0 - 13 13 - 16 16 - 25

出力電流 mA

0 - 2,000 2,000 - 3,000 3,000 - 3,500

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この商品の取り扱い会社情報

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会社概要

トレックス・セミコンダクター株式会社は、半導体デバイスの開発、設計、製造、及び販売を行っている会社です。 半導体デバイスの中でも、特に電源IC専業メーカーとして、1995年の創業時から超小型化、低消費電力、低ノイズにこだ...

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  • 本社所在地: 東京都

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