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返答率
100.0%
返答時間
10.6時間
タイプ
4CH温度制御モジュール 標準タイプ
配線方式
端子台タイプ
出力1
リレー接点出力
出力2
リレー接点出力
出力3
リレー接点出力
出荷時設定
なし (制御動作・入力レンジおよびイニシャル設定指定なし)
入力種類
熱電対:K レンジ:-200.0~+1,372.0℃
入力点数
4点または2点 (入力間絶縁)
サンプリング周期
0.25秒
外部抵抗の影響 (熱電対入力)
約0.125μV/Ω
⼊⼒断線時の動作
アップスケール、ダウンスケール選択可
出力点数
4点
メモリエリア数
8点 (チャンネル毎、独立設定)
電源電圧
DC21.6~26.4V (電源電圧変動含む) (定格DC24V)
消費電力 (最大負荷時)
最大140mA (DC24V) 突入電流10A以下
停電時の影響
4msec以下に対しては影響なし ※Z-TIOモジュールは、それ以上についてはSTOPスタート、ホット/コールドスタート選択可能
メモリバックアップ
不揮発性メモリ (FRAM) によるデータバックアップ 書き換え回数:約100億回以上 データ記憶保持期間:約10年
許容周囲温度
-10~+50℃
許容周囲湿度
5~95%RH ※絶対湿度:MAX.W.C 29.3g/m3 dry air at 101.3kPa
適応規格
CEマーキング適合,UL、cUL認定品,RCMマーク適合
RoHS指令
対応済み
質量
約160g
型番
Z-TIO-AT-MMM4/AN取扱企業
理化工業株式会社カテゴリ
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商品画像 | 価格 (税抜) | タイプ | 配線方式 | 出力1 | 出力2 | 出力3 | 出力4 | CT入力 | 出荷時設定 | 入力種類 | 入力点数 | サンプリング周期 | 外部抵抗の影響 (熱電対入力) | ⼊⼒断線時の動作 | 出力点数 | メモリエリア数 | 電源電圧 | 消費電力 (最大負荷時) | 停電時の影響 | メモリバックアップ | 許容周囲温度 | 許容周囲湿度 | 適応規格 | RoHS指令 | 質量 |
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要見積もり |
4CH温度制御モジュール 標準タイプ |
端子台タイプ | リレー接点出力 | リレー接点出力 | リレー接点出力 | 電圧連続出力 DC0~5V | CT4点 (注意:CTおよび専用ケーブルは別売となります) | なし (制御動作・入力レンジおよびイニシャル設定指定なし) |
熱電対:K レンジ:-200.0~+1,372.0℃ |
4点または2点 (入力間絶縁) | 0.25秒 | 約0.125μV/Ω | アップスケール、ダウンスケール選択可 | 4点 | 8点 (チャンネル毎、独立設定) | DC21.6~26.4V (電源電圧変動含む) (定格DC24V) | 最大140mA (DC24V) 突入電流10A以下 |
4msec以下に対しては影響なし ※Z-TIOモジュールは、それ以上についてはSTOPスタート、ホット/コールドスタート選択可能 |
不揮発性メモリ (FRAM) によるデータバックアップ 書き換え回数:約100億回以上 データ記憶保持期間:約10年 |
-10~+50℃ |
5~95%RH ※絶対湿度:MAX.W.C 29.3g/m3 dry air at 101.3kPa |
CEマーキング適合,UL、cUL認定品,RCMマーク適合 | 対応済み | 約160g |