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■オリフラ方位 OF (mm) IF (mm) EJ (Dove-Tail) ： (OF) (0-1-1) ±0.5°/ (IF) (0-11) ±0.5°又はSEMI US (V-Groove) ： (OF) (01-1) ±0.5°/ (IF) (011) ±0.5°
厚さ (μm)
オリフラ長さ OF (mm) IF (mm)
結晶成長法
LEC (Liquid Encapsulated Czochralski) 法
ドーパント、導電型
半絶縁性：アンドープ (Cドープ)
抵抗率 (at 25℃)
>/=1×107 Ω cm (上記範囲内での調整可能)
転位密度 (EPD) (cm^-2)
EPDave</=10^5
面方位
1. (100) ±0.1° 2. (100) off 2°±0.1° towards (110) etc. 3. ご要望に応じます。
外周加工
べべル
加工精度 TTV (μm)
<5.0
加工精度 TIR (μm)
<5.0
加工精度 Warp (μm)
<10.0
面仕上げ 表面
ラップ後エッチ (ミラー加工も可能)
面仕上げ 裏面
ラップ後エッチ (ミラー加工も可能)
表面処理
エピレディ
レーザーマーク
オプション
梱包形態
カセット又は個装トレイ
型番
LEC-半絶縁性 3インチシリーズ
ガリウムヒ素基板 LEC-半絶縁性取扱企業
DOWAエレクトロニクス株式会社カテゴリ
Metoree経由で見積もり
2024年12月5日にレビュー済み
顧客対応への満足度
初回対応までの時間への満足度
0.74時間
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ガリウムの製品96点中、注目ランキング上位6点
電話番号不要
何社からも電話が来る心配はありません
一括見積もり
複数社に同じ内容の記入は不要です
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| 商品画像 | 価格 (税抜) | 結晶成長法 | ドーパント、導電型 | 抵抗率 (at 25℃) | 転位密度 (EPD) (cm^-2) | サイズ | 面方位 | 直径 (mm) | 厚さ (μm) | オリフラ長さ OF (mm) IF (mm) | 外周加工 | 加工精度 TTV (μm) | 加工精度 TIR (μm) | 加工精度 Warp (μm) | 面仕上げ 表面 | 面仕上げ 裏面 | 表面処理 | レーザーマーク | 梱包形態 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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要見積もり | LEC (Liquid Encapsulated Czochralski) 法 | 半絶縁性：アンドープ (Cドープ) |
>/=1×107 Ω cm (上記範囲内での調整可能) |
EPDave | 3インチ |
1. (100) ±0.1° 2. (100) off 2°±0.1° towards (110) etc. 3. ご要望に応じます。 |
76.0±0.1 76.2±0.1 |
350-625 ±15 |
22.0±1.0 12.0±1.0 (ご要望に応じ調整可能) |
べべル | <5.0 | <5.0 | <10.0 | ラップ後エッチ (ミラー加工も可能) | ラップ後エッチ (ミラー加工も可能) | エピレディ | オプション | カセット又は個装トレイ |
