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ガリウムヒ素基板 VGF-n型 LDグレード-DOWAエレクトロニクス株式会社

DOWAエレクトロニクス株式会社の対応状況

返答率

100.0%

返答時間

101.3時間

型番説明

■オリフラ方位 OF (mm) IF (mm) EJ (Dove-Tail) : (OF) (0-1-1) ±0.05°/ (IF) (0-11) ±0.5°又はSEMI US (V-Groove) : (OF) (01-1) ±0.05°/ (IF) (011) ±0.5° ※へき開、ベベルいずれも対応可能

全型番で同じ値の指標

結晶成長法

VGF (Vertical Gradient Freezing) 法

ドーパント、導電型

N型:Siドープ

キャリア濃度

N-type (0.4-4) ×1,018 cm^-3 (上記範囲内での調整可能)

転位密度 (EPD) (cm^-2)

EPDave</=500 (LED) EPDmax</=5,000 (LED)

面方位

1. (100) ±0.1° 2. (100) off α°±0.1° towards (011) or (01-1) etc. 3. ご要望に応じます

外周加工

べべル

加工精度 TTV (μm)

<5.0

加工精度 Warp (μm)

<10.0

面仕上げ表面

ミラー

面仕上げ裏面

ラップ後エッチ (ミラー加工も可能)

表面処理

エピレディ

レーザーマーク

オプション

この製品について

当社のガリウムヒ素基板は、DVDなどのレーザー用途、LED用途、携帯電話などの電子デバイス用途などに、数多く用いられています。

■用途

高出力LD、VCSEL、Micro LED、表示用LED用基板として使用されています。

■製品特徴

VGF法、LEC法にて単結晶を育成しています。 キャリア濃度高制御、低EPDの特徴があります。

  • 型番

    VGF-n型 LDグレード 4インチ

企業レビュー 4.5

Metoree経由で見積もり

2024年12月5日にレビュー済み

顧客対応への満足度

初回対応までの時間への満足度

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ガリウムヒ素基板 VGF-n型 LDグレード VGF-n型 LDグレード 4インチの性能表

商品画像 価格 (税抜) 結晶成長法 ドーパント、導電型 キャリア濃度 転位密度 (EPD) (cm^-2) サイズ 面方位 直径 (mm) 厚さ (μm) オリフラ長さ OF (mm) IF (mm) ノッチ 外周加工 加工精度 TTV (μm) 加工精度 Warp (μm) 面仕上げ表面 面仕上げ裏面 表面処理 レーザーマーク 梱包形態
ガリウムヒ素基板 VGF-n型 LDグレード-品番-VGF-n型 LDグレード 4インチ 要見積もり VGF (Vertical Gradient Freezing) 法 N型:Siドープ N-type (0.4-4) ×1,018 cm^-3
(上記範囲内での調整可能)
EPDave EPDmax 4インチ 1. (100) ±0.1°
2. (100) off α°±0.1° towards (011) or (01-1) etc.
3. ご要望に応じます
100.0±0.1 350-625
±15
32.5±1.0
18.0±1.0
(ご要望に応じ調整可能)
不可 べべル <5.0 <10.0 ミラー ラップ後エッチ (ミラー加工も可能) エピレディ オプション カセット又は個装トレイ

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この商品の取り扱い会社情報

返答率

100.0%


返答時間

101.3時間


企業レビュー

4.5

会社概要

DOWAエレクトロニクス株式会社は、電子材料事業および関連事業を主な事業内容とする企業です。 導電材料製品や電池材料製品といった電子材料事業のほか、高純度ガリウムやLEDといった半導体事業も行っています。 特に高純度ガ...

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  • 本社所在地: 東京都

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