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可変圧力モードを使って、低真空運転と、アウトガスや帯電試料の in situ実験が行えます。独自のGEMINI電子光学テクノロジーとイオンスカルプターFIBが、高品質イメージングとハイスループットを可能にします。
FIB
チャンバーサイズとポート
ステージ
ガス
Uni-GIS：Pt, C, SiOx, W, H2O/Multi-GIS：Pt, C, W, Au, H2O, SiOX, XeF2
解像度
32k×24kオプションのAtlas 5 3Dトモグラフィーモジュール装備で50k×40kまで)
分析オプション
EDS、EBSD、WDS、SIMS、その他
引き込み式 ToF-SIMS 分光器 検出限界
シリコン内のホウ素<4.2ppm
引き込み式 ToF-SIMS 分光器 横方向の分解能
<35nm
引き込み式 ToF-SIMS 分光器 質量電荷比
1~500Th
引き込み式 ToF-SIMS 分光器 質量分解能
m/Δm>500FWTM
引き込み式 ToF-SIMS 分光器 深さ方向の分解能
<20nmAlAs/GaAsマルチレイヤ―システム
フェムト秒レーザー 種別
DPSS
フェムト秒レーザー 波長 (λ)
515nm (緑)
フェムト秒レーザー 光学系
テレセントリック
フェムト秒レーザー パルス持続時間
<350fs
フェムト秒レーザー スポットサイズ
<15µm
フェムト秒レーザー 走査範囲サイズ
40x40mm²
型番
Crossbeam 350取扱企業
カールツァイス株式会社カテゴリ
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| 商品画像 | 価格 (税抜) | FIB | チャンバーサイズとポート | ステージ | 帯電制御 | ガス | 解像度 | 分析オプション | 利点 | 引き込み式 ToF-SIMS 分光器 検出限界 | 引き込み式 ToF-SIMS 分光器 横方向の分解能 | 引き込み式 ToF-SIMS 分光器 質量電荷比 | 引き込み式 ToF-SIMS 分光器 質量分解能 | 引き込み式 ToF-SIMS 分光器 深さ方向の分解能 | フェムト秒レーザー 種別 | フェムト秒レーザー 波長 (λ) | フェムト秒レーザー 光学系 | フェムト秒レーザー パルス持続時間 | フェムト秒レーザー スポットサイズ | フェムト秒レーザー 走査範囲サイズ |
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要見積もり | 液体金属イオン源 (LMIS) ：寿命3,000µAh/分解能：3nm@30kV (統計法) /分解能：120nm@1kV&10pA (オプション) | 標準 (18基のポート) | X/Y=100mm/Z=50mm,Z'=13mm/T=–4°~70°,R=360° | フラッドガン/LCC (局所帯電除去装置) /圧力可変 | Uni-GIS：Pt, C, SiOx, W, H2O/Multi-GIS：Pt, C, W, Au, H2O, SiOX, XeF2 | 32k×24kオプションのAtlas 5 3Dトモグラフィーモジュール装備で50k×40kまで) | EDS、EBSD、WDS、SIMS、その他 | 圧力可変モードにより多様な試料に対応、広範囲のin situ実験が可能 | シリコン内のホウ素<4.2ppm | <35nm | 1~500Th | m/Δm>500FWTM | <20nmAlAs/GaAsマルチレイヤ―システム | DPSS | 515nm (緑) | テレセントリック | <350fs | <15µm | 40x40mm² |
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使用用途
#元素分析 #マッピング #自動測定 #3D分析 #低真空観察 #異物分析 #高分解能観察 #試料作製 #スクリーニング分析分解能 nm
0 - 1 1 - 2 2 - 16加速電圧 kV
0 - 1 1 - 5 5 - 10 10 - 15 15 - 30倍率 倍
1 - 10 10 - 25 25 - 50 50 - 100 100 - 200 200 - 100,000 100,000 - 1,000,000 1,000,000 - 6,000,000ステージ移動範囲 °
-15 - -10 -10 - 0 0 - 70 70 - 90最大試料寸法 mm
0 - 30 30 - 80 80 - 200 200 - 1,500プローブ電流 nA
0 - 10 10 - 100 100 - 500
