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■ファイバ付半導体レーザー波長: 808nm 出力: 4 ~ 150W ・シングルエミッター、マルチエミッター、バンドルファイバモジュールから選択可能 ・設計に合わせたパッケージやカスタムが可能 ・電源付きのシステムでもご提案が可能 ■特長 ・コンパクトなパッケージデザインのファイバ付半導体レーザ ・広範囲なパワーレンジ ■用途 ・ファイバーレーザー構築 ・レーザ加工 ・医療 (OCT以外)
出力 (W)
モード
CW、パルス
波長温度可変性 (nm/℃)
0.4~0.5
閾値電流 (A)
0.4~1.8
スロープ効率 (W/A)
0.84~0.93
ファスト軸ビーム発散角 (deg)
16~40
スロー軸ビーム発散角 (deg)
4~10
スペクトル幅/FWHM (nm)
4~11
動作電流 (A)
7~20
型番
ファイバ付半導体レーザー波長: 808nm 出力: 4 ~ 150W取扱企業
セブンシックス株式会社カテゴリ
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| 商品画像 | 価格 (税抜) | 開口数 (NA) | 波長 (nm) | コア径 (µm) | 出力 (W) |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
要見積もり | 0.22 | 808 | 105~400 | 4~150 |
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波長 nm
370 - 530 530 - 630 630 - 780 780 - 900 900 - 980出力 mW
1 - 100 100 - 1,000 1,000 - 10,000 10,000 - 100,000 100,000 - 500,000 500,000 - 1,000,000コア径 µm
0 - 100 100 - 200 200 - 400開口数 NA
0.1 - 0.2 0.2 - 0.3ファイバーコア径 µm
0 - 100 100 - 200 200 - 400ファイバークラッド径 μm
100 - 200 200 - 300ビーム開口数 NA
0.1 - 0.2 0.2 - 0.3
