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項目別
耐圧 V
100 - 300 300 - 600 600 - 900 900 - 1,300 1,300 - 1,700電流 A
1 - 100オン抵抗 mΩ
0 - 50 50 - 100 100 - 500 500 - 1,000 1,000 - 2,000 2,000 - 16,000ゲート電荷 nC
30 - 70 70 - 100 100 - 130 130 - 140入力容量 pF
1,000 - 3,000 3,000 - 4,000 4,000 - 7,000逆回復時間 ns
100 - 200 200 - 300 300 - 60012 点の製品がみつかりました
12 点の製品
Littelfuseジャパン合同会社
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NチャネルHiPerFETディスクリートMOSFET- パワーセミコンダクタHiPerFET製品群は、最も低いRDS (on) 、低RthJC、低Qg、向上したDV/DT特...
Littelfuseジャパン合同会社
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NチャネルHiPerFETディスクリートMOSFET- パワーセミコンダクタHiPerFET製品群は、最も低いRDS (on) 、低RthJC、低Qg、向上したDV/DT特...
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NチャネルHiPerFETディスクリートMOSFET- パワーセミコンダクタHiPerFET製品群は、最も低いRDS (on) 、低RthJC、低Qg、向上したDV/DT特...
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IXFH17mΩという低いオン抵抗と22〜150Aの定格電流により、これらのIXFH34N60X2Aデバイスはソフトスイッチング共振モードの電力変換アプ...
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IXFH17mΩという低いオン抵抗と22〜150Aの定格電流により、これらのIXFH34N60X2Aデバイスはソフトスイッチング共振モードの電力変換アプ...
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IXFH17mΩという低いオン抵抗と22〜150Aの定格電流により、これらのIXFH34N60X2Aデバイスはソフトスイッチング共振モードの電力変換アプ...
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パワー MOSFETを必要とするアプリケーションが電流飽和領域で動作するよう設計されたこれらのユニークなデバイスは、低い熱抵抗、高い電...
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デプリーションモードMOSFETは、通常のエンハンスメント型MOSFETとは異なり、オフにするために負のゲートバイアスを必要とします。その...
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パワー MOSFETを必要とするアプリケーションが電流飽和領域で動作するよう設計されたこれらのユニークなデバイスは、低い熱抵抗、高い電...
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パワー MOSFETを必要とするアプリケーションが電流飽和領域で動作するよう設計されたこれらのユニークなデバイスは、低い熱抵抗、高い電...
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デプリーションモードMOSFETは、通常のエンハンスメント型MOSFETとは異なり、オフにするために負のゲートバイアスを必要とします。その...
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デプリーションモードMOSFETは、通常のエンハンスメント型MOSFETとは異なり、オフにするために負のゲートバイアスを必要とします。その...
LittelfuseジャパンのSiC MOSFET12製品中の注目ランキング
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