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豊港の半導体材料46製品中の注目ランキング
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■単結晶SiCの製品を提供しております。 ・2～4インチ4H/6H-P SiCウェーハ ・2～4インチ3C SiCウェーハ ・4～8インチ4H-N SiCウェーハ ・4～8インチ4H-P SiCウ...
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単結晶SiCの製品を提供しております。 2～4インチ4H/6H-P SiCウェーハ 2～4インチ3C SiCウェーハ 4～8インチ4H-N SiCウェーハ 4～8インチ4H-P SiCウェーハ 4...
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2インチ～12インチまでの半導体用基板として使用されるシリコンウェーハをお客様のご利用用途やご要望に合わせてご提供いたします。 大手メーカー製品の充実...
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エッチング用インゴットは、精密加工技術を用いて微細な部品や構造体を作るためにも使われます。
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炭化珪素（SiC）セラミックスボール ■特徴 ・高硬度、耐摩耗、高絶縁。 ・耐熱性 (約1,500℃) に優れ高熱伝導率。 ・その他電気絶縁性、耐食性、生体適合性。...
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窒化珪素（Si₃N₄）セラミックスボール ■特徴 ・軽量で高温強度。 ・破壊靭性に優れる。 ・耐摩耗性・熱ショックに強い。 ・耐熱性及び機械的強度が高い。 ・...
5種類の品番
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複合ウェーハは、2種類以上の異なる材料を特殊な工程で組み合わせて作られる高性能な基板材料です。
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複合ウェーハは、2種類以上の異なる材料を特殊な工程で組み合わせて作られる高性能な基板材料です。
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単結晶SiCの製品を提供しております。 2～4インチ4H/6H-P SiCウェーハ 2～4インチ3C SiCウェーハ 4～8インチ4H-N SiCウェーハ 4～8インチ4H-P SiCウェーハ 4...
3種類の品番
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ウェーハへの膜付加工を行った製品を「膜付ウェーハ」と呼びます。ウェーハの成膜プロセスには、絶縁膜としての層間絶縁材料、導電材料としての金属膜、プロ...
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ウェーハへの膜付加工を行った製品を「膜付ウェーハ」と呼びます。ウェーハの成膜プロセスには、絶縁膜としての層間絶縁材料、導電材料としての金属膜、プロ...
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ウェーハへの膜付加工を行った製品を「膜付ウェーハ」と呼びます。ウェーハの成膜プロセスには、絶縁膜としての層間絶縁材料、導電材料としての金属膜、プロ...
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ウェーハへの膜付加工を行った製品を「膜付ウェーハ」と呼びます。ウェーハの成膜プロセスには、絶縁膜としての層間絶縁材料、導電材料としての金属膜、プロ...
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当社はGaN（窒化ガリウム）基板、GaNテンプレート、Power用エピウェーハ、RGB Micro LED Epiウェーハ、Hybrid Integrated RGB Micro LEDチップなど、最先端の...
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酸化ガリウムは、高耐圧および低オン抵抗特性を活かし、パワーエレクトロニクスデバイスとして幅広く応用されています。電気自動車、太陽光発電インバータ、...
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酸化ガリウムは、高耐圧および低オン抵抗特性を活かし、パワーエレクトロニクスデバイスとして幅広く応用されています。電気自動車、太陽光発電インバータ、...
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酸化ガリウムは、高耐圧および低オン抵抗特性を活かし、パワーエレクトロニクスデバイスとして幅広く応用されています。電気自動車、太陽光発電インバータ、...
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CZ法 (チョクラルスキー法) と呼ばれる製造方法によりシリコンウェーハの材料となる単結晶インゴットを製造しています。主にデバイス製造工程の一つであるエ...
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シリコンリングはシリコンで作られたリング状の製品です。
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ダミーウェーハとはテストウェーハとも呼ばれ、製品ウェーハと異なり主に機器の実験や検査に用いられるウェーハのことです。製造装置の稼働テスト、搬送テス...
