高電子移動度トランジスタ（HEMT）

高電子移動度トランジスタ (HEMT) とは

高電子移動度トランジスタ (HEMT) とは、化合物半導体 (例：GaAs) を用いた電界効果トランジスタ (FET) の一種です。

主に高速で高周波な動作が可能であり、従来のシリコントランジスタよりも優れた性能を持ちます。HEMTの動作原理は、ヘテロ接合構造によって形成される高い電子移動度を持つ二次元電子ガス (2DEG) に基づいています。この構造によって、ゲート電圧が変化することで2DEGの電流が制御され、トランジスタの動作が実現されます。

HEMTは携帯電話、衛星通信、レーダー、医療機器、計測機器などの高周波増幅器として広く活用されています。その特徴として、高速性、高周波性、低消費電力、高感度が挙げられます。