超高感度熱脱離分析装置 HEMTO-TDS
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この製品について

微小な基板や薄膜中に含まれる水素の検出を、熱脱離法により行う装置です。水素固溶が少ないBeCuチャンバーを使用するとともに、赤外レーザーを使用し試料基板のみを効率的に加熱することにより、加熱中の水素のバックグランドの増加を抑え、試料からの脱離水素を高感度で測定できる装置です。また、検出には四重極質量分析器を使用しているため、水素以外の脱離物質についても分析が可能です。

■アプリケーション・半導体基板中の低濃度水素の検出
・薄膜中に混入した水素の検出
・微小試料中の不純物元素の熱脱離検出
・吸収・吸着の結合状態の判定

■装置原理・赤外加熱で局所加熱
・放射温度計で温度計測･制御
・BeCuチャンバーで低水素バックグランド
・オリフィス設置で高感度化

型番
この商品には1種類の型番があります

シリーズ
超高感度熱脱離分析装置 HEMTO-TDS

取扱企業
株式会社ユニソク

カテゴリ

アナライザ

水素脱離分析装置

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超高感度熱脱離分析装置 HEMTO-TDS 品番1件

商品画像	品番	価格 (税抜)	イオン電流	加熱方式	温度制御	試料サイズ	質量分析範囲
	HEMTO-TDS	要見積もり	1×10-13Aまで検出可能 1×1015ion.cm2の水素イオン注入基板まで検出可能 5×1016個/cm3, 1/100万程度の濃度の水素原子を検出	赤外レーザー加熱 (983nm)	放射温度計によるPID制御 (放射率は熱電対付き温度校正用基板で校正) 温度範囲 150℃-1000℃ 昇温速度 10℃/min-100℃/minで任意設定	10mm×10mm	1－100 amu