超高感度熱脱離分析装置 HEMTO-TDS
株式会社ユニソク
この製品について
■アプリケーション
・半導体基板中の低濃度水素の検出 ・薄膜中に混入した水素の検出 ・微小試料中の不純物元素の熱脱離検出 ・吸収・吸着の結合状態の判定■装置原理
・赤外加熱で局所加熱 ・放射温度計で温度計測･制御 ・BeCuチャンバーで低水素バックグランド ・オリフィス設置で高感度化-
シリーズ
超高感度熱脱離分析装置 HEMTO-TDS
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取扱企業
株式会社ユニソク
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カテゴリ
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超高感度熱脱離分析装置 HEMTO-TDS 品番1件
| 商品画像 | 品番 | 価格 (税抜) | イオン電流 | 加熱方式 | 温度制御 | 試料サイズ | 質量分析範囲 |
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HEMTO-TDS |
要見積もり |
1×10-13Aまで検出可能 1×1015ion.cm2の水素イオン注入基板まで検出可能 5×1016個/cm3, 1/100万程度の濃度の水素原子を検出 |
赤外レーザー加熱 (983nm) |
放射温度計によるPID制御 (放射率は熱電対付き温度校正用基板で校正) 温度範囲 150℃-1000℃ 昇温速度 10℃/min-100℃/minで任意設定 |
10mm×10mm | 1－100 amu |
のついている項目名や値は、Metoreeの自然言語処理アルゴリズムを用いて自動生成された値です。各メーカーの製品を横断して比較しやすくするための参考としてご利用ください。自動生成データは黒色の文字、元データは灰色の文字です。
