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ショットキー電界放出形走査電子顕微鏡 JSM-IT800シリーズ取扱企業
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まとめて問合せ・見積 | 商品画像 | 品番 | 価格 (税抜) | 分解能 | 倍率 | 入射電圧 | プローブ電流 | 標準検出器 | 電子銃 | エミッター保証期間 | 開き角最適化レンズ (ACL) | 対物レンズ | 試料ステージ | モーター制御 | 試料サイズ | 低真空モード (オプション) | 分析機能 (オプション) | 主な用途 (例) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
JSM-IT800 HLバージョン |
要見積もり |
0.7nm (20kV) 1.3nm (1kV) 3.0nm (15kV, 5nA, WD 10mm) |
写真倍率 ×10 ~ 2,000,000 (128 × 96 mm 表示時) 表示倍率 × 27 ~ 5,480,000 (1,280 × 960 画素表示時) |
0.01 ~ 30kV |
数 pA ~300nA (30kV) 数 pA ~100nA (5kV) |
二次電子検出器 (SED) 上方電子検出器 (UED) |
インレンズショットキーPlus電界放出電子銃 | 3年 | 組込み | ハイブリッドレンズ | フルユーセントリックゴニオメーターステージ | 5軸モーター制御 |
試料ステージType1 (最大径:170 mm 最大高さ:45 mm (WD 5 mm) ) ステージ移動範囲 (X:70mm Y:50mm Z:1~41mm 傾斜:-5~70° 回転:360°) |
可能 |
EDS WDS EBSD CL |
磁性体、広域EBSD | ||
JSM-IT800 isバージョン |
要見積もり |
0.6nm (15kV) 1.0nm (1kV) 3.0nm (15kV, 5nA, WD 8mm) |
写真倍率 ×25 ~ 2,000,000 (128 × 96 mm 表示時) 表示倍率 × 69 ~ 5,480,000 (1,280 × 960 画素表示時) |
0.01 ~ 30kV |
数 pA ~300nA (30kV) 数 pA ~100nA (5kV) |
二次電子検出器 (SED) 上方インレンズ検出器 (UID) |
インレンズショットキーPlus電界放出電子銃 | 3年 | 組込み | セミインレンズ | フルユーセントリックゴニオメーターステージ | 5軸モーター制御 |
試料ステージType1 (最大径:170 mm 最大高さ:45 mm (WD 5 mm) ) ステージ移動範囲 (X:70mm Y:50mm Z:1~41mm 傾斜:-5~70° 回転:360°) |
可能 |
EDS WDS EBSD CL |
半導体デバイス解析 | ||
JSM-IT800 iバージョン |
要見積もり |
0.5nm (15kV) 0.7nm (1kV) 3.0nm (15kV, 5nA, WD 8mm) |
写真倍率 ×25 ~ 2,000,000 (128 × 96 mm 表示時) 表示倍率 × 69 ~ 5,480,000 (1,280 × 960 画素表示時) |
0.01 ~ 30kV |
数 pA ~500nA (30kV) 数 pA ~100nA (5kV) |
二次電子検出器 (SED) 上方インレンズ検出器 (UID) 上方電子検出器 (UED) |
インレンズショットキーPlus電界放出電子銃 | 3年 | 組込み | セミインレンズ | フルユーセントリックゴニオメーターステージ | 5軸モーター制御 |
試料ステージType1 (最大径:170 mm 最大高さ:45 mm (WD 5 mm) ) ステージ移動範囲 (X:70mm Y:50mm Z:1~41mm 傾斜:-5~70° 回転:360°) |
可能 |
EDS WDS EBSD CL |
半導体デバイス解析 | ||
JSM-IT800 SHLsバージョン |
要見積もり |
0.6nm (15kV) 1.1nm (1kV) 3.0nm (15kV, 5nA, WD 10mm) |
写真倍率 ×10 ~ 2,000,000 (128 × 96 mm 表示時) 表示倍率 × 27 ~ 5,480,000 (1,280 × 960 画素表示時) |
0.01 ~ 30kV |
数 pA ~500nA (30kV) 数 pA ~100nA (5kV) |
二次電子検出器 (SED) 上方ハイブリッド検出器 (UHD) |
インレンズショットキーPlus電界放出電子銃 | 3年 | 組込み |
スーパーハイブリッド レンズ |
フルユーセントリックゴニオメーターステージ | 5軸モーター制御 |
試料ステージType1 (最大径:170 mm 最大高さ:45 mm (WD 5 mm) ) ステージ移動範囲 (X:70mm Y:50mm Z:1~41mm 傾斜:-5~70° 回転:360°) |
可能 |
EDS WDS EBSD CL |
磁性体、EBSD、生物 (アレイトモグラフィ, CLEM) | ||
JSM-IT800 SHLバージョン |
要見積もり |
0.5nm (15kV) 0.7nm (1kV) 0.9nm (500V) 3.0nm (15kV, 5nA, WD 10mm) |
写真倍率 ×10 ~ 2,000,000 (128 × 96 mm 表示時) 表示倍率 × 27 ~ 5,480,000 (1,280 × 960 画素表示時) |
0.01 ~ 30kV |
数 pA ~500nA (30kV) 数 pA ~100nA (5kV) |
二次電子検出器 (SED) 上方ハイブリッド検出器 (UHD) |
インレンズショットキーPlus電界放出電子銃 | 3年 | 組込み |
スーパーハイブリッド レンズ |
フルユーセントリックゴニオメーターステージ | 5軸モーター制御 |
試料ステージType1 (最大径:170 mm 最大高さ:45 mm (WD 5 mm) ) ステージ移動範囲 (X:70mm Y:50mm Z:1~41mm 傾斜:-5~70° 回転:360°) |
可能 |
EDS WDS EBSD CL |
磁性体、EBSD、生物 (アレイトモグラフィ, CLEM) |
のついている項目名や値は、Metoreeの自然言語処理アルゴリズムを用いて自動生成された値です。各メーカーの製品を横断して比較しやすくするための参考としてご利用ください。自動生成データは黒色の文字、元データは灰色の文字です。