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赤外線ランプ加熱装置 RTP-6-RTP-6
赤外線ランプ加熱装置 RTP-6-株式会社堀科学

赤外線ランプ加熱装置 RTP-6
株式会社堀科学

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この製品について

■概要

低コストで80℃/sの高速アニールが可能。本装置は、放物面反射赤外線ランプにより、4-6インチサイズのウエハを均一に加熱することを目的とした赤外線ランプ装置です。高速熱処理が可能で、熱処理プロセスの研究・開発用装置として手軽にご利用いただけます。個別半導体プロセスのシリサイド形成や酸化膜形成、化合物半導体のプロセスアニールが可能です。

■特長

・高速加熱処理が可能 ・水冷メタルチャンバ式のコールドウォール構造で高速冷却が可能 ・真空置換後のガスフローも可能 ・お手持ちのパソコンから温度プログラム設定や外部信号の入力が簡単に実行可能 ・加熱中の温度データをパソコン上に表示する事が可能 ・チャンバ内、汚れ防止に石英防着板取り付け可能 (オプション) ・9ゾーン出力制御により優れた温度分布と再現性が可能

  • シリーズ

    赤外線ランプ加熱装置 RTP-6

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赤外線ランプ加熱装置 RTP-6 品番1件

商品画像 品番 価格 (税抜) 温度範囲 試料寸法 雰囲気 加熱方式 最大加熱速度 均熱精度 制御センサ
赤外線ランプ加熱装置 RTP-6-品番-RTP-6

RTP-6

要見積もり

RT~1100℃

標準φ6インチウエハ1枚 (φ4インチまたは、φ5インチ用はオプション)

ガス中、ガスフロー中、大気中、真空中 (真空排気装置はオプション)

放物面反射赤外線ランプによる上部片面加熱方式 (下部方向加熱方式も可能)

80℃/sec

⊿t=10℃at800℃holdN2中

標準熱電対JIS"K" (SiCコート付カーボンサセプタに挿入方式) 、パイロメータ (オプション)

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使用用途

#ガラス加工 #クリーンルーム加熱 #プラスチック成形 #乾燥工程 #焼成工程 #熱処理工程 #半導体製造 #表面加熱

発光方式

赤外線 ハロゲン 石英 カーボン

放射波長域

近赤外 遠赤外

消費電力 kW

0 - 1 1 - 2 2 - 5 5 - 10

焦点距離 mm

50 - 100 100 - 200 200 - 350

質量 g

0 - 100 100 - 1,000 1,000 - 10,000 10,000 - 100,000

ヒータ外径 mm

0 - 50 50 - 100 100 - 200

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この商品の取り扱い会社情報

株式会社堀科学

会社概要

株式会社堀科学は1999年創業の科学機器の専門商社です。 主な取り扱い製品は、X線を用いた分析装置、電子顕微鏡などの分析装置をはじめ、熱処理を行う実験炉などの設備、試料を調整するための研磨を行う研磨機、実験室や工場で用...

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  • 本社所在地: 岡山県

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