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SiCモジュール MD29HFC120N6HT-MD29HFC120N6HT
SiCモジュール MD29HFC120N6HT-萩原エレクトロニクス株式会社

SiCモジュール MD29HFC120N6HT
萩原エレクトロニクス株式会社



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この製品について

■特徴

当社のSiCモジュールは、6in1、2in1、単立回路構成などのさまざまな構成があり、高周波動作、高電力密度用途に適用でき、電気自動車 (EV) 分野と再生可能エネルギー分野で広く使用されています。電圧レベルは750Vと1,200Vで、高信頼性、低スイッチング損失、高ブロッキング電圧、高動作ジャンクション温度という利点があります。

  • シリーズ

    SiCモジュール MD29HFC120N6HT

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SiCモジュール MD29HFC120N6HT 品番1件

商品画像 品番 価格 (税抜) 電圧クラス VCES Tvj=25℃ typ. パッケージ情報 回路構成 チップタイプ 飽和電圧 VCE (sat) Tvj=25℃ typ 特徴
SiCモジュール MD29HFC120N6HT-品番-MD29HFC120N6HT

MD29HFC120N6HT

要見積もり

1,200V

N6

Half Bridge

SiC

2.83mΩ

射出成形、PINFINベースプレート

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