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パワーセミコンダクタ&制御IC IXGH24N120C3-IXGH24N120C3
パワーセミコンダクタ&制御IC IXGH24N120C3-Littelfuseジャパン合同会社

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Littelfuseジャパン合同会社



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この製品について

GenX3™ IGBTは、堅牢な当社のHDMOS IGBTプロセスを使用して製造したPT (パンチスルー) です。300V GenX3™ IGBTは、最大150kHzのスイッチング機能を提供し、電流は42Aから120Aの範囲です。 高速なスイッチング速度と低い伝導損失により、電源設計者にスイッチングアプリケーションの新たな高価値の選択肢を提供します。UIS定格の製品の堅牢さと耐久性は、ほとんどの堅牢なパワーMOSFETに匹敵します。 600V GenX3™は、200kHz以上のソフトスイッチング周波数と40kHzのハードスイッチング周波数を必要とする高電流アプリケーションに最適です。より高いサージ電流定格、より低い飽和電圧、より低いエネルギー損失を実現し、実績のあるパッチスルー (PT) 技術を採用した本製品は、600Vスイッチングアプリケーションに新たな可能性を生み出す選択肢を設計者に提供します。 1,200V GenX3™は、高度なパンチスルー (PT) 技術の利用により、飽和電圧とスイッチング損失をより低く抑え、より高いサージ電流定格を実現しています。拡大する製品ラインは高圧電力変換市場をターゲットにしています。 設計者はA3、B3、C3の3つのサブクラスから最適な部品を選択できます。システム設計の柔軟性を高める分類により、設計者はスイッチング周波数、効率、コストなど重要な要件の最適なバランスをとることができます。

■特長

・高電流対応 ・国際規格パッケージ ・最適化により伝導とスイッチングの損失を低減 ・超高速アンチパラレルダイオード (オプション) ・アバランシェ定格 ・正方形のRBSOA ・300V用途におけるMOSFETの安価な代替品 ・MOSゲートのターンオンでドライブを簡素化 ・高周波IGBT

  • シリーズ

    パワーセミコンダクタ&制御IC IXGH24N120C3

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パワーセミコンダクタ&制御IC IXGH24N120C3 品番1件

商品画像 品番 価格 (税抜) VCES (V) IC @ 25 ℃ (A) VCE (sat) (V) tfi (ns) 構成 パッケージタイプ 状態 RthJC (IGBT) (K/W) Eオフ @ 125 ℃ (mJ)
パワーセミコンダクタ&制御IC IXGH24N120C3-品番-IXGH24N120C3

IXGH24N120C3

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