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パワーセミコンダクタ＆制御IC NGB15N41ACLT4G-NGB15N41ACLT4G
パワーセミコンダクタ＆制御IC NGB15N41ACLT4G-Littelfuseジャパン合同会社

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この製品について

この論理レベル絶縁ゲート バイポーラトランジスタ (IGBT) は、ESDおよび過電圧固定保護を組み合わせたモノリシック回路を特徴とし、誘導コイル駆動アプリケーションに利用されます。主に点火や直接燃料噴射、または高電圧や高電流でのスイッチングが必要な箇所で使用されます。

■特長

・より小さいフットプリントと基板の省スペース化を可能にするDPAKパッケージ ・ゲートエミッタESD保護 ・温度補償ゲートコレクタ電圧クランプが負荷応力を制限 ・統合ESDダイオード保護 ・非クランプ誘導性スイッチング (UIS) の面積当たりエネルギーを強化する新しいセル設計 ・短絡に対する高い耐性 ・論理デバイスまたはマイクロプロセッサデバイスの電源負荷に対する低い閾値電圧 ・低飽和電圧 ・高いパルス電流対応能力 ・ゲート抵抗 (RG) およびゲート - エミッタ抵抗 (RGE) をオプションで選択可能

  • シリーズ

    パワーセミコンダクタ＆制御IC NGB15N41ACLT4G

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パワーセミコンダクタ＆制御IC NGB15N41ACLT4G 品番1件

商品画像 品番 価格 (税抜) TYP BVCES@IC (V) IC 最大 (A) VCE (sat) (V) EAS (mJ) PDMAX (W)
パワーセミコンダクタ＆制御IC NGB15N41ACLT4G-品番-NGB15N41ACLT4G

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