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パワーセミコンダクタ＆制御IC IXBH10N170-IXBH10N170
パワーセミコンダクタ＆制御IC IXBH10N170-Littelfuseジャパン合同会社

パワーセミコンダクタ＆制御IC IXBH10N170
Littelfuseジャパン合同会社

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この製品について

BiMOSFETは、MOSFETとIGBTの長所を兼ね備えたデバイスです。非エピタキシャル構造と新しい製造プロセスを採用したBiMOSFETは、優れた製品に仕上がっています。これらの高圧機器は、飽和電圧と内部ダイオードの順方向電圧降下の両方について電圧温度係数が正であるため、並列処理に適しています。 さらに、この「自由な」内部ボディダイオードが保護ダイオードとして機能し、機器がオフの状態の間は誘導負荷電流の迂回経路を提供するとともに、高いLdi/dt電圧過渡により機器が損傷することを防ぎます。

■特長

・高ブロック電圧 ・高出力密度 ・高電流対応 ・低伝導損失 ・MOSゲートのターンオンでドライブを簡素化 ・国際標準および独自のISOPLUSTMパッケージ

■利点

・複数の直列並列低電圧、低電流定格デバイスを排除 ・よりシンプルなシステム設計 ・信頼性の向上 ・コンポーネント数の削減 ・システムコストの削減

  • シリーズ

    パワーセミコンダクタ＆制御IC IXBH10N170

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パワーセミコンダクタ＆制御IC IXBH10N170 品番1件

商品画像 品番 価格 (税抜) VCES (V) IC @ 25 ℃ (A) VCE (sat) (V) tfi (ns) 構成 パッケージタイプ RthJC (K/W) IC @ 110 ℃ (A) 駆動電圧 (V)
パワーセミコンダクタ＆制御IC IXBH10N170-品番-IXBH10N170

IXBH10N170

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