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リレー・カプラ PhotoMOSリレー GE 2b-AQW414EH
リレー・カプラ PhotoMOSリレー GE 2b-パナソニックインダストリー株式会社

リレー・カプラ PhotoMOSリレー GE 2b
パナソニックインダストリー株式会社

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この製品について

■PhotoMOSリレー

・MOSFETを出力素子に採用。AC,DC制御可能な半導体リレー ・主な用途:計測機器・試験装置、セキュリティ機器、産業機器、絶縁監視 ・「 PhotoMOSリレー 」「フォトモス」「PhotoMOSリレー」「フォトモスリレー」はパナソニックホールディングス (株) の商標です。

■GE 2b 特長

・負荷電圧:400 V ・耐電圧:5,000 V (高耐電圧) ・出力構成:2b ・2b出力および1bの2個使用が可能

■用途

・通信モデム ・電話装置 ・電力・プラント装置 ・防犯・防災装置 ・センサ機器

  • シリーズ

    リレー・カプラ PhotoMOSリレー GE 2b

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リレー・カプラ PhotoMOSリレー GE 2b 品番1件

商品画像 品番 価格 (税抜) タイプ パッケージ 電圧タイプ 端子形状 出力構成 包装形態 箱入数 1スティック (個) 箱入数 外箱 (個) LED電流 ( IF ) LED逆電圧 ( VR ) せん頭順電流 ( IFP ) 許容損失 ( Pin ) 負荷電圧 ( VL ) 連続負荷電流 ( IL ) ピーク負荷電流 ( Ipeak ) 出力損失 ( Pout ) 全許容損失 ( Pt ) 耐電圧 ( Viso ) 使用周囲温度:動作温度 ( Topr ) 使用周囲温度:保存温度 ( Tstg ) 接合部温度 ( Tj ) 動作LED電流 (平均) 動作LED電流 (最大) 復帰LED電流 (最小) 復帰LED電流 (平均) LED電圧降下 (平均) ( VF ) LED電圧降下 (最大) ( VF ) オン抵抗 (平均) ( Ron ) オン抵抗 (最大) ( Ron ) 開路時漏れ電流 (最大) ( ILeak )
リレー・カプラ PhotoMOSリレー GE 2b-品番-AQW414EH

AQW414EH

要見積もり

GE

DIP8

AC/DC

標準P/C板端子

2b

スティック包装

50

500

50mA

5V

1A

75mW

400V

0.1A

0.3A

800mW

850mW

5,000Vrms

-40~+85℃

-40~+100℃

125℃

1.2mA

3.0mA

0.4mA

1.2mA

1.25V

1.5V

26 Ω

35 Ω

10μA

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フォトMOSリレーをフィルターから探すことができます

負荷電圧 V

0 - 100 100 - 500 500 - 1,000 1,000 - 1,500

負荷電流 A

0 - 1 1 - 3

オン抵抗 Ω

0 - 1 1 - 5 5 - 10 10 - 20 20 - 30 30 - 40 40 - 50

出力タイプ

デジタル アナログ

パッケージタイプ

DIP4 DIP5 DIP6 DIP8 SOP4 TSON

動作温度 ℃

-50 - 0 0 - 50 50 - 100 100 - 150

連続負荷電流 A

0.1 - 0.2 0.2 - 0.3 0.3 - 0.4

絶縁耐圧 Vrms

0 - 500 500 - 2,000 2,000 - 6,000

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会社概要

パナソニックインダストリー株式会社は、電子部品・産業デバイス・電子材料の開発・製造・販売を行う、パナソニックホールディングス傘下の大手メーカーです。 2022年に創業し、メカトロニクス・産業デバイス・デバイスソリューシ...

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  • 本社所在地: 大阪府

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