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光合成有効放射センサー MIJ-14PAR弐型 アンプ内蔵取扱企業
日本環境計測株式会社カテゴリ
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| 商品画像 | 品番 | 価格 (税抜) | 測定範囲 | 出力 | ノイズレベル | 計測単位 | プレヒート | 立ち上がり時間 | 温度特性 | 入射角特性 | 回転角特性 | 主要素材 | 使用温度範囲 | 形状 | 重量 | ピンアサイン | 付属品 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
MIJ-14PAR弐型 アンプ内蔵 |
要見積もり |
0~5,000μE |
1.0mVDCat1.0μE、最大5000.0mVDCat5,000.0μE |
±0.05mV (=±0.05μE) at0及びF.S.時 (S/N比0.001%atF.S.) |
μE (μmol・S-1・m-2) |
6~14VDC、1mA未満 |
0.05秒 (立下がり0.90秒) |
0.2％/℃以下 |
<±2.5％at0~80°<±21％at80~90° |
アジマスエラー：<±0.5％over360°at60°elevation |
筐体：A5052、被覆：黒アルマイト、拡散板：PTFE |
-20~60℃ |
最大外径φ54mm、高さ38.6mm |
センサー部127g、ケーブル重量120g |
白/出力＋、黒/出力ー、青/電源＋、茶/電源ー |
5mケーブル、取付用ネジM4-30×2 |
光センサー をフィルターから探すことができます
検出距離 mm
0 - 10 10 - 20 20 - 100 100 - 200 200 - 400 400 - 600 600 - 1,000 1,000 - 2,000 2,000 - 3,000動作温度 ℃
-40 - -10 -10 - 0 0 - 60 60 - 70 70 - 85 85 - 95動作電源電圧 V
3 - 12 12 - 15 15 - 24出力形式
Dark-on High Light-on Low Nch MOS FET オープンドレイン DC30V DC100mA 以下 Ptr アナログ出力 インクリメンタルデジタル出力 フォトトランジスタ出力発光波長 nm
300 - 700 700 - 1,000 1,000 - 1,700 1,700 - 2,700消費電流 μA
1 - 20 20 - 50 50 - 2,500パッケージ
コネクタタイプ 基板直付けタイプ TO-46 SM03B-GHS
