ワイヤレスインフラストラクチャ向け Elite RF Super-TCXO SiT5376/7-SiT5376

ワイヤレスインフラストラクチャ向け Elite RF Super-TCXO SiT5376/7
SiTime Corporation

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この製品について

■製品概要・5Gおよび衛星通信に不可欠である、より高い帯域幅と、低遅延を可能に
・5G無線が展開される極端な環境に耐えられるように設計
・位相ノイズ、精度、および耐久性を単一の高度に統合されたデバイスで提供
・IEEE1588v2のタイミング同期プロトコルで規定された厳しい性能要件も満たす

■主な仕様と特長・1～220MHz任意の周波数出力をサポート
・温度変化に対して±100ppbの高い安定性
・-40 ℃～+105℃の広い温度保証範囲
・温度勾配 (df/dT) に対して±0.9ppb/℃の高い安定性
・±0.05ppt (1/1兆) 分解能の±400ppmデジタル制御
・100 fsの積分位相ジッタ (19.2 MHz, 12kHz～20MHz の積分範囲) 
・エージングは0.3 ppb/日
・消費電力は1.8Vで144mW
・5.0mm x 3.5mmのセラミックパッケージ

型番
この商品には2種類の型番があります

シリーズ
ワイヤレスインフラストラクチャ向け Elite RF Super-TCXO SiT5376/7

取扱企業
SiTime Corporation

カテゴリ

ジェネレータ・発生器

発振器

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ワイヤレスインフラストラクチャ向け Elite RF Super-TCXO SiT5376/7 品番2件

フィルター

	商品画像	品番	価格 (税抜)	発振器の種類	周波数 (MHz) 1~60 60~220	周波数安定度 (ppb)	位相ジッター (rms) 100 fs 110 fs	出力タイプ LVCMOS, Clipped Sinewave LVCMOS	使用温度範囲 (℃)	プル範囲 (ppm)	供給電圧 (V)	サイズ (mm)
		SiT5376	要見積もり	TCXO-SE	1~60	±0.1, ±0.2, ±0.25	100 fs	LVCMOS, Clipped Sinewave	-20~70, -40~85, -40~105	±3.125, ±6.25, ±10, ±12.5, ±25, ±50, ±100, ±200, ±400	1.8, 2.5, 2.8, 3.0, 3.3	5.0x3.5 10-pin
		SiT5377	要見積もり	TCXO-SE	60~220	±0.1, ±0.2, ±0.25	110 fs	LVCMOS	-20~70, -40~85, -40~105	±3.125, ±6.25, ±10, ±12.5, ±25, ±50, ±100, ±200, ±400	1.8, 2.5, 2.8, 3.0, 3.3	5.0x3.5 10-pin