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シリコンカーバイド/SiC-Φ2" シリコンカーバイト インゴット 4H-N
シリコンカーバイド/SiC-株式会社同人産業

シリコンカーバイド/SiC
株式会社同人産業



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この製品について

炭化ケイ素 (SiC) 若しくは、シリコンカーバイドは、炭素 (C) とケイ素 (Si) が1対1で共有結合した結晶材料です。 SiC半導体の最大特徴は、バンドギャップが3.25eVと従来のSi半導体に比べて3倍と広いことです。このため、絶縁破壊にいたる電界強度が3MV/cmと10倍程度大きくなります。又、熱伝導性がSiの3倍以上であり、300℃以上の高温においても電気的特性が安定しているばかりか、デバイス化した場合にはデバイス内部での電力損失をSi半導体の1/10近くまで抑えられます。更に、耐薬品性に優れ、放射線に対する耐性もSi半導体より高いという特徴を持っています。こうした特徴により、SiCは従来のSi半導体より小型、低消費電力、高効率のパワー素子、高周波素子、耐放射線性に優れた半導体材料として期待されています。 パワーデバイスのウェハーについては、これまでほぼピュアシリコンが使われてきました。そうして、耐圧600Vを境にSiCが台頭してくるとの傾向が強くなりました。とりわけ電鉄や発電用パワーコンディショナー、自動車などにそのアプリが拡大するとの見方が出てきております。SiCのスライス、研削・研磨など各種精密加工も提供しております。

■4H-SiC製法

昇華法 (PVT、物理的気相輸送法)

■用途

各種半導体基板:パワーデバイス、高周波デバイス、ヒートシンク、LED、UVセンサ、等

  • シリーズ

    シリコンカーバイド/SiC

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シリコンカーバイド/SiC 品番1件

商品画像 品番 価格 (税抜) モース硬度 密度 (g/cm3) 熱膨張係数 (/K) 屈折率@750nm 誘電率 熱伝導率 (W/cm・K) N型、0.02Ω以下 バンドギャップ (eV) 破壊電界 (V/cm)
シリコンカーバイド/SiC-品番-Φ2" シリコンカーバイト インゴット 4H-N

Φ2" シリコンカーバイト インゴット 4H-N

要見積もり

9.2

3.21

(4-5) x10^-6

no=2.61, ne=2.66

c~9.66

a~4.2 298K、c~3.7 298K

3.23

(3-5) x10^6

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この商品の取り扱い会社情報

会社概要

株式会社同人産業は半導体材料の製造・販売・輸出入を主な事業としている企業でございます。
創業は2009年で大阪市淀川区(新大阪駅付近)に本社を置き、日本、中国、韓国、台湾などグローバルに事業を展開しております。<...

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