形 MDE-C10 全金属検出近接センサ-MDE-C10
形 MDE-C10 全金属検出近接センサ-センサテック株式会社

形 MDE-C10 全金属検出近接センサ センサテック株式会社

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この製品について

用途 アルミニウムや銅等、非磁性金属でも検出距離を長く取ることが可能です。 1円硬貨(アルミ)で8.5mmの検出距離がとれます。 あらゆる金属の検出が可能です。 コネクタタイプのため、メンテナンスが容易です。 特長 ATMなどの真鍮や銅製あるいはアルミ製硬貨の検出 自動販売機のコインや非磁性金属缶の検出 磁性金属鋼球や非磁性金属球のレベル検出 メダルの検出

  • シリーズ

    形 MDE-C10 全金属検出近接センサ



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形 MDE-C10 全金属検出近接センサ 品番3件

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保護等級

保護構造

重量

重量

検出距離

検出距離
周波数 オプション(別売) ケース材質 コネクタ 使用温度範囲 使用湿度範囲 出力 出力残留電圧 回路保護 応差 応答周波数 検出面 標準検出体 消費電流 絶縁抵抗 耐振動 耐衝撃 耐電圧 設定距離 電源電圧 動作形態
形 MDE-C10 全金属検出近接センサ-品番-MDE-C10

MDE-C10

要見積もり

IP50

IP50

15 g

約15g

10 mm

10.0mm ±10%
標準周波数 コネクタハーネス : CNH-PHR03S24-300 PBT樹脂(青) コネクタ:S3B-PH-SM4-TB(3ピン)(日本圧着端子製造㈱製) 【接続】ハウジング:PHR-3、コンタクト:SPH-002T-P0.5S (日本圧着端子製造㈱製) -10~60℃(保存時:-25~65℃)(ただし氷結、結露しないこと) 85%RH以下(保存時:85%RH以下)(ただし結露しないこと) Nch MOS FETオープンドレイン DC30V DC100mA以下 DC0.5V以下(負荷電流DC100mA) 電源逆接続保護ダイオード付き、出力サージ吸収ダイオード付き 検出距離の15%以下 400Hz 以上 上面 検出体40×40mm、板厚1mm アルミニウムに於いて DC15mA 以下 50MΩ以上 DC500V メガにて(充電部一括とケース間) 耐久:10~55Hz 複振幅1.5mm X.Y.Z方向各2時間(非通電時) 耐久:500m/s²(約50G)X.Y.Z 方向各3回(非通電時) AC500V 50/60Hz 1 分間(充電部一括とケース間) 8.0mm DC12V~24V(使用電圧範囲:DC10.8V~26.4V) ノーマルオープン(検出物有りで出力ON)
形 MDE-C10 全金属検出近接センサ-品番-MDE-C10B

MDE-C10B

要見積もり

IP50

IP50

15 g

約15g

10 mm

10.0mm ±10%
異周波数 コネクタハーネス : CNH-PHR03S24-300 PBT樹脂(青) コネクタ:S3B-PH-SM4-TB(3ピン)(日本圧着端子製造㈱製) 【接続】ハウジング:PHR-3、コンタクト:SPH-002T-P0.5S (日本圧着端子製造㈱製) -10~60℃(保存時:-25~65℃)(ただし氷結、結露しないこと) 85%RH以下(保存時:85%RH以下)(ただし結露しないこと) Nch MOS FETオープンドレイン DC30V DC100mA以下 DC0.5V以下(負荷電流DC100mA) 電源逆接続保護ダイオード付き、出力サージ吸収ダイオード付き 検出距離の15%以下 400Hz 以上 上面 検出体40×40mm、板厚1mm アルミニウムに於いて DC15mA 以下 50MΩ以上 DC500V メガにて(充電部一括とケース間) 耐久:10~55Hz 複振幅1.5mm X.Y.Z方向各2時間(非通電時) 耐久:500m/s²(約50G)X.Y.Z 方向各3回(非通電時) AC500V 50/60Hz 1 分間(充電部一括とケース間) 8.0mm DC12V~24V(使用電圧範囲:DC10.8V~26.4V) ノーマルオープン(検出物有りで出力ON)
形 MDE-C10 全金属検出近接センサ-品番-MDE-C101B

MDE-C101B

要見積もり

IP50

IP50

15 g

約15g

10 mm

10.0mm ±10%
標準周波数 コネクタハーネス : CNH-PHR03S24-300 PBT樹脂(青) コネクタ:S3B-PH-SM4-TB(3ピン)(日本圧着端子製造㈱製) 【接続】ハウジング:PHR-3、コンタクト:SPH-002T-P0.5S (日本圧着端子製造㈱製) -10~60℃(保存時:-25~65℃)(ただし氷結、結露しないこと) 85%RH以下(保存時:85%RH以下)(ただし結露しないこと) Nch MOS FETオープンドレイン DC30V DC100mA以下 DC0.5V以下(負荷電流DC100mA) 電源逆接続保護ダイオード付き、出力サージ吸収ダイオード付き 検出距離の15%以下 400Hz 以上 上面 検出体40×40mm、板厚1mm アルミニウムに於いて DC15mA 以下 50MΩ以上 DC500V メガにて(充電部一括とケース間) 耐久:10~55Hz 複振幅1.5mm X.Y.Z方向各2時間(非通電時) 耐久:500m/s²(約50G)X.Y.Z 方向各3回(非通電時) AC500V 50/60Hz 1 分間(充電部一括とケース間) 8.0mm DC12V~24V(使用電圧範囲:DC10.8V~26.4V) ノーマルクローズ(検出物有りで出力OFF)

のついている項目名や値は、Metoreeの自然言語処理アルゴリズムを用いて自動生成された値です。各メーカーの製品を横断して比較しやすくするための参考としてご利用ください。自動生成データは黒色の文字、元データは灰色の文字です。

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会社概要

センサテック株式会社は、京都府亀岡市に本社・研究所を置く、電子検出機器・電子制御機器・医療用機器・美容機器の開発・設計・製造を事業内容とする企業です。 創業は1983年、設立は1988年です。 近接センサ・磁気センサ・...

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