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高周波デバイス シリコンRFデバイス 7.2V/9.6V/12.5V動作 RF 高出力 MOS FETモジュール-RA03M8087M
高周波デバイス シリコンRFデバイス 7.2V/9.6V/12.5V動作 RF 高出力 MOS FETモジュール-三菱電機株式会社

高周波デバイス シリコンRFデバイス 7.2V/9.6V/12.5V動作 RF 高出力 MOS FETモジュール
三菱電機株式会社



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この製品について

■無線通信ネットワークを支える三菱シリコンRFデバイス

シリコン高周波デバイスは、数MHz~1GHzにわたる周波数帯域における移動無線通信機器の送信段電力増幅用キーパーツとして、官公庁向けをはじめとする各種移動業務用無線機、アマチュア無線機、車載TELEMATICS市場まで幅広い製品ラインアップにより、無線通信ネットワークを力強くサポートいたします。

  • シリーズ

    高周波デバイス シリコンRFデバイス 7.2V/9.6V/12.5V動作 RF 高出力 MOS FETモジュール

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高周波デバイス シリコンRFデバイス 7.2V/9.6V/12.5V動作 RF 高出力 MOS FETモジュール 品番1件

商品画像 品番 価格 (税抜) 供給状態 電源電圧Typ 周波数 出力電力 (Min) 外形 入力電力 (Typ) ドレイン効率 (Min) RoHS指令
高周波デバイス シリコンRFデバイス 7.2V/9.6V/12.5V動作 RF 高出力 MOS FETモジュール-品番-RA03M8087M

RA03M8087M

要見積もり

量産

7.2V

Min-Max:806~870MHz

3.6W

H46S

50mW

32%

RoHS指令 (2011/65/EU、 (EU) 2015/863) に準拠

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この商品の取り扱い会社情報

会社概要

三菱電機株式会社は、家庭電器、重電システム、産業メカトロニクス、情報通信システム、電子デバイスといった、あらゆる電機機器の製造・販売を行う大手総合電機メーカーです。 1921年、三菱造船電機製作所から分離独立する形で設立...

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  • 本社所在地: 東京都
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