半導体基板・薄膜中の低濃度水素の超高感度検出、水素センサー素子の開発超高感度熱脱離分析装置 HEMTO-TDS-超高感度熱脱離分析装置 HEMTO-TDS

半導体基板・薄膜中の低濃度水素の超高感度検出、水素センサー素子の開発超高感度熱脱離分析装置 HEMTO-TDS
株式会社東京インスツルメンツ

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この製品について

■概要微小な基板や薄膜中に含まれる水素の検出を、熱脱離法により行う装置です。水素固溶が少ないBeCuチャンバーを使用するとともに、赤外レーザーを使用し試料基板のみを効率的に加熱することにより、加熱中の水素のバックグランドの増加を抑え、試料からの脱離水素を高感度で測定できる装置です。また、検出には四重極質量分析器を使用しているため、水素以外の脱離物質についても分析が可能です。

本装置の開発は第103回市村清新技術財団新技術開発助成により推進され、東京工業大学細野研究室との産学連携製品です。

■特長・高感度水素検出
・レーザー加熱による非接触温度制御

■主な用途・半導体基板中の低濃度水素の検出
・薄膜中に混入した水素の検出
・微小試料中の不純物元素の熱脱離検出
・吸収・吸着の結合状態の判定

型番
この商品には1種類の型番があります

シリーズ
半導体基板・薄膜中の低濃度水素の超高感度検出、水素センサー素子の開発超高感度熱脱離分析装置 HEMTO-TDS

取扱企業
株式会社東京インスツルメンツ

カテゴリ

アナライザ

水素脱離分析装置

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半導体基板・薄膜中の低濃度水素の超高感度検出、水素センサー素子の開発超高感度熱脱離分析装置 HEMTO-TDS 品番1件

商品画像	品番	価格 (税抜)	イオン電流	加熱方式	温度制御	試料サイズ	質量分析範囲
	超高感度熱脱離分析装置 HEMTO-TDS	要見積もり	1×10^-13Aまで検出可能 1×10^15ion.cm2の水素イオン注入基板まで検出可能 5×10^16個/cm3, 1/100万程度の濃度の水素原子を検出	赤外レーザー加熱 (983nm)	放射温度計によるPID制御 (放射率は熱電対付き温度校正用基板で校正) 温度範囲 150℃~1,000℃ 昇温速度 10℃/min~100℃/minで任意設定	10mm×10mm	1~100 amu