シリコン、サファイア、炭化けい素、セレン化亜鉛、硫化カドミウムの歪み検査赤外複屈折位相差測定装置 Exicor PV-Si-Exicor PV-Si

シリコン、サファイア、炭化けい素、セレン化亜鉛、硫化カドミウムの歪み検査赤外複屈折位相差測定装置 Exicor PV-Si
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■概要複屈折位相差測定装置Exicor® PV-Siは、シリコン、サファイア、炭化けい素、セレン化亜鉛、硫化カドミウムなどの複屈折分布を波長1,550nmの赤外光で測定します。モデル"500-Si-Ingot"は、シリコンウェーハに切断する前のインゴット (8インチ、500mm長) に対応します。

■特長・シリコン、サファイア、炭化けい素、セレン化亜鉛、硫化カドミウムの歪み検査
・インゴットのまま測定 (Squared、As grown ingots) 

型番
この商品には1種類の型番があります

シリーズ
シリコン、サファイア、炭化けい素、セレン化亜鉛、硫化カドミウムの歪み検査赤外複屈折位相差測定装置 Exicor PV-Si

取扱企業
株式会社東京インスツルメンツ

カテゴリ

観察機器

赤外顕微鏡

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シリコン、サファイア、炭化けい素、セレン化亜鉛、硫化カドミウムの歪み検査赤外複屈折位相差測定装置 Exicor PV-Si 品番1件

商品画像	品番	価格 (税抜)	測定波長	リタデーション繰り返し測定精度	測定スポットサイズ	測定時間	インゴットサイズ
	Exicor PV-Si	要見積もり	1,550nm	0.1nm	2ミリ径	最大100点/秒	500×150mm (Squared ingot) 500×210mm (As-grown ingot)

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使用用途

#材料分析 #異物解析 #薄膜評価 #ポリマー解析 #医薬品分析 #微小部分析 #化学マッピング #半導体検査 #電子部品解析 #生体試料解析

検出波長域

近赤外型中赤外型遠赤外型

測定モード

透過型反射型 ATR型透過反射兼用型

走査方式

単点走査型面走査型ラスター走査型フーリエ変換型

構造特性

卓上型分離型

温度範囲 ℃

-50 - 100 100 - 300 300 - 600 600 - 1,000

温度分解能 mK

50 - 100 100 - 150

最小スポットサイズ µm

5 - 10 10 - 30 30 - 50 50 - 90

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