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半導体 ASIC エンベデッドアレイ-S1X80000
半導体 ASIC エンベデッドアレイ-セイコーエプソン株式会社

半導体 ASIC エンベデッドアレイ
セイコーエプソン株式会社

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この製品について

■エンベデッドアレイ

エンベデッドアレイは、スタンダードセル、ASSP等の特定用途向ハードマクロを搭載し、かつお客さまの回路をSea of Gateで実現、混載可能なセミカスタムICです。高集積・高機能セルのハードマクロ化により、システムオンチップが可能であり、ロジック部の Sea of Gate 化により配線工程以後は、ゲートアレイと同等の開発期間を実現します。 また、LSIの下地 (ベースバルク) の再利用が可能で、ロジック部のみの変更であれば、ゲートアレイと同等の開発期間で改変が行えます。

■エンベデッドアレイ設計方法

エンベデッドアレイの設計方法は、最初にシステム設計を行い、ロジック部分のゲート数、および搭載するマクロセルを決定したのち、ベースバルクの製造を開始します。 ベースバルクは必要なハードマクロセルを搭載し、あわせてロジック部の Sea of Gateを敷き詰めたもので、配線工程前まで製造を進めます。この製造作業と平行して、通常のゲートアレイと同様にロジック部回路設計~レイアウト後シミュレーションFixまでの作業を行い、サインオフ後に配線工程を行います。サインオフ後はゲートアレイと同等の納期でサンプル出荷されます。またLSIのベースバルクは再利用が可能ですので、ロジック部の回路変更のみであれば、ゲートアレイと同等の開発費・開発納期で改変が可能です。 エンベデッドアレイは、スタンダードセルマクロ、ASSP等の特定用途向けハードマクロを機能ブロックとして搭載し、かつ、お客様の回路をSea of Gateで構成するセミカスタムICです。スタンダードセル並みの機能を混載しながら、ロジック部のSea of Gate化によりゲートアレイと同等の開発期間を実現します。また、回路変更が比較的容易なため、製品修正のリスク回避に役立てることができます。

  • シリーズ

    半導体 ASIC エンベデッドアレイ

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半導体 ASIC エンベデッドアレイ 品番4件

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商品画像 品番 価格 (税抜) ステイタス
半導体 ASIC エンベデッドアレイ-品番-S1X80000

S1X80000

要見積もり

MP

S1X80000シリーズ

高集積 (0.15μm CMOS 4/5層配線プロセス採用、74Kゲート/mm2) 、高速動作 (内部ゲート遅延:34.5ps/1.8V、2入力NAND Typ.) など

RAM、PLL, LVDS、RSDS、各種マクロセル搭載可能

QFP48~256ピン、PBGA、PFBGA、QFN

半導体 ASIC エンベデッドアレイ-品番-S1X60000

S1X60000

要見積もり

MP

S1X60000シリーズ

高集積 (0.25μm CMOS 3/4/5層配線プロセス採用、搭載ゲート数:最大250万ゲート) 、高速動作 (内部ゲート遅延:107ps/2.5V、2入力Power NAND Typ.) など

RAM、ROM、Flash、MCU、PLL、LVDS、RSDS、各種マクロセル搭載可能

QFP48~256ピン、PBGA、PFBGA、QFN

半導体 ASIC エンベデッドアレイ-品番-S1X50000

S1X50000

要見積もり

MP

S1X50000シリーズ

高集積 (0.35μm CMOS 3/4層配線プロセス採用) 、高速動作 (内部ゲート遅延:150ps/3.3V、2入力Power NAND Typ.) など

RAM、ROM、Flash、MCU、PLL、アナログセル、LVDS、RSDS、各種マクロセル搭載可能

QFP48~256ピン、PBGA、PFBGA、QFN、WCSP

半導体 ASIC エンベデッドアレイ-品番-S1X5V000

S1X5V000

要見積もり

MP

S1X5V000シリーズ

高集積 (0.35μm CMOS 2/3/4層配線プロセス採用) 、高速動作 (内部ゲート遅延:0.19ns/5.0V、0.29ns/3.3V、2入力Power NAND Typ.) など

RAM、ROM、Flash、MCU、PLL、アナログセル、LVDS、RSDS、各種マクロセル搭載可能

QFP48~256ピン、PBGA、PFBGA、QFN、WCSP

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会社概要

セイコーエプソン株式会社は、1942年に創業した精密機器製造メーカーです。 本社を長野県諏訪市に置き、本店を東京都新宿区に置いています。 また国内事業所として、広丘事業所や酒田事業所、大阪事業所などを設けています。 主...

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  • 本社所在地: 長野県
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