半導体 ASIC エンベデッドアレイ
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この製品について

■エンベデッドアレイエンベデッドアレイは、スタンダードセル、ASSP等の特定用途向ハードマクロを搭載し、かつお客さまの回路をSea of Gateで実現、混載可能なセミカスタムICです。高集積・高機能セルのハードマクロ化により、システムオンチップが可能であり、ロジック部の Sea of Gate 化により配線工程以後は、ゲートアレイと同等の開発期間を実現します。

また、LSIの下地 (ベースバルク) の再利用が可能で、ロジック部のみの変更であれば、ゲートアレイと同等の開発期間で改変が行えます。

■エンベデッドアレイ設計方法エンベデッドアレイの設計方法は、最初にシステム設計を行い、ロジック部分のゲート数、および搭載するマクロセルを決定したのち、ベースバルクの製造を開始します。

ベースバルクは必要なハードマクロセルを搭載し、あわせてロジック部の Sea of Gateを敷き詰めたもので、配線工程前まで製造を進めます。この製造作業と平行して、通常のゲートアレイと同様にロジック部回路設計～レイアウト後シミュレーションFixまでの作業を行い、サインオフ後に配線工程を行います。サインオフ後はゲートアレイと同等の納期でサンプル出荷されます。またLSIのベースバルクは再利用が可能ですので、ロジック部の回路変更のみであれば、ゲートアレイと同等の開発費・開発納期で改変が可能です。

エンベデッドアレイは、スタンダードセルマクロ、ASSP等の特定用途向けハードマクロを機能ブロックとして搭載し、かつ、お客様の回路をSea of Gateで構成するセミカスタムICです。スタンダードセル並みの機能を混載しながら、ロジック部のSea of Gate化によりゲートアレイと同等の開発期間を実現します。また、回路変更が比較的容易なため、製品修正のリスク回避に役立てることができます。

型番
この商品には4種類の型番があります

シリーズ
半導体 ASIC エンベデッドアレイ

取扱企業
セイコーエプソン株式会社

カテゴリ

集積回路

ASIC

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半導体 ASIC エンベデッドアレイ品番4件

フィルター

品番	価格 (税抜)	ステイタス	シリーズ名 S1X80000シリーズ S1X60000シリーズ S1X50000シリーズ S1X5V000シリーズ	特徴高集積 (0.15μm CMOS 4/5層配線プロセス採用、74Kゲート/mm2) 、高速動作 (内部ゲート遅延：34.5ps/1.8V、2入力NAND Typ.) など高集積 (0.25μm CMOS 3/4/5層配線プロセス採用、搭載ゲート数：最大250万ゲート) 、高速動作 (内部ゲート遅延：107ps/2.5V、2入力Power NAND Typ.) など高集積 (0.35μm CMOS 3/4層配線プロセス採用) 、高速動作 (内部ゲート遅延：150ps/3.3V、2入力Power NAND Typ.) など高集積 (0.35μm CMOS 2/3/4層配線プロセス採用) 、高速動作 (内部ゲート遅延：0.19ns/5.0V、0.29ns/3.3V、2入力Power NAND Typ.) など	マクロセル RAM、PLL, LVDS、RSDS、各種マクロセル搭載可能 RAM、ROM、Flash、MCU、PLL、LVDS、RSDS、各種マクロセル搭載可能 RAM、ROM、Flash、MCU、PLL、アナログセル、LVDS、RSDS、各種マクロセル搭載可能	パッケージ QFP48~256ピン、PBGA、PFBGA、QFN QFP48~256ピン、PBGA、PFBGA、QFN、WCSP
S1X80000	要見積もり	MP	S1X80000シリーズ	高集積 (0.15μm CMOS 4/5層配線プロセス採用、74Kゲート/mm2) 、高速動作 (内部ゲート遅延：34.5ps/1.8V、2入力NAND Typ.) など	RAM、PLL, LVDS、RSDS、各種マクロセル搭載可能	QFP48~256ピン、PBGA、PFBGA、QFN
S1X60000	要見積もり	MP	S1X60000シリーズ	高集積 (0.25μm CMOS 3/4/5層配線プロセス採用、搭載ゲート数：最大250万ゲート) 、高速動作 (内部ゲート遅延：107ps/2.5V、2入力Power NAND Typ.) など	RAM、ROM、Flash、MCU、PLL、LVDS、RSDS、各種マクロセル搭載可能	QFP48~256ピン、PBGA、PFBGA、QFN
S1X50000	要見積もり	MP	S1X50000シリーズ	高集積 (0.35μm CMOS 3/4層配線プロセス採用) 、高速動作 (内部ゲート遅延：150ps/3.3V、2入力Power NAND Typ.) など	RAM、ROM、Flash、MCU、PLL、アナログセル、LVDS、RSDS、各種マクロセル搭載可能	QFP48~256ピン、PBGA、PFBGA、QFN、WCSP
S1X5V000	要見積もり	MP	S1X5V000シリーズ	高集積 (0.35μm CMOS 2/3/4層配線プロセス採用) 、高速動作 (内部ゲート遅延：0.19ns/5.0V、0.29ns/3.3V、2入力Power NAND Typ.) など	RAM、ROM、Flash、MCU、PLL、アナログセル、LVDS、RSDS、各種マクロセル搭載可能	QFP48~256ピン、PBGA、PFBGA、QFN、WCSP