半導体 ASIC エンベデッドアレイ
セイコーエプソン株式会社
この製品について
■エンベデッドアレイ
エンベデッドアレイは、スタンダードセル、ASSP等の特定用途向ハードマクロを搭載し、かつお客さまの回路をSea of Gateで実現、混載可能なセミカスタムICです。高集積・高機能セルのハードマクロ化により、システムオンチップが可能であり、ロジック部の Sea of Gate 化により配線工程以後は、ゲートアレイと同等の開発期間を実現します。 また、LSIの下地 (ベースバルク) の再利用が可能で、ロジック部のみの変更であれば、ゲートアレイと同等の開発期間で改変が行えます。■エンベデッドアレイ設計方法
エンベデッドアレイの設計方法は、最初にシステム設計を行い、ロジック部分のゲート数、および搭載するマクロセルを決定したのち、ベースバルクの製造を開始します。 ベースバルクは必要なハードマクロセルを搭載し、あわせてロジック部の Sea of Gateを敷き詰めたもので、配線工程前まで製造を進めます。この製造作業と平行して、通常のゲートアレイと同様にロジック部回路設計～レイアウト後シミュレーションFixまでの作業を行い、サインオフ後に配線工程を行います。サインオフ後はゲートアレイと同等の納期でサンプル出荷されます。またLSIのベースバルクは再利用が可能ですので、ロジック部の回路変更のみであれば、ゲートアレイと同等の開発費・開発納期で改変が可能です。 エンベデッドアレイは、スタンダードセルマクロ、ASSP等の特定用途向けハードマクロを機能ブロックとして搭載し、かつ、お客様の回路をSea of Gateで構成するセミカスタムICです。スタンダードセル並みの機能を混載しながら、ロジック部のSea of Gate化によりゲートアレイと同等の開発期間を実現します。また、回路変更が比較的容易なため、製品修正のリスク回避に役立てることができます。-
シリーズ
半導体 ASIC エンベデッドアレイ
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取扱企業
セイコーエプソン株式会社
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半導体 ASIC エンベデッドアレイ 品番4件
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| まとめて問合せ・見積 | 商品画像 | 品番 | 価格 (税抜) | ステイタス | シリーズ名 | 特徴 | マクロセル | パッケージ |
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S1X80000 |
要見積もり | MP | S1X80000シリーズ | 高集積 (0.15μm CMOS 4/5層配線プロセス採用、74Kゲート/mm2) 、高速動作 (内部ゲート遅延：34.5ps/1.8V、2入力NAND Typ.) など | RAM、PLL, LVDS、RSDS、各種マクロセル搭載可能 | QFP48~256ピン、PBGA、PFBGA、QFN | |
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S1X60000 |
要見積もり | MP | S1X60000シリーズ | 高集積 (0.25μm CMOS 3/4/5層配線プロセス採用、搭載ゲート数：最大250万ゲート) 、高速動作 (内部ゲート遅延：107ps/2.5V、2入力Power NAND Typ.) など | RAM、ROM、Flash、MCU、PLL、LVDS、RSDS、各種マクロセル搭載可能 | QFP48~256ピン、PBGA、PFBGA、QFN | |
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S1X50000 |
要見積もり | MP | S1X50000シリーズ | 高集積 (0.35μm CMOS 3/4層配線プロセス採用) 、高速動作 (内部ゲート遅延：150ps/3.3V、2入力Power NAND Typ.) など | RAM、ROM、Flash、MCU、PLL、アナログセル、LVDS、RSDS、各種マクロセル搭載可能 | QFP48~256ピン、PBGA、PFBGA、QFN、WCSP | |
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S1X5V000 |
要見積もり | MP | S1X5V000シリーズ | 高集積 (0.35μm CMOS 2/3/4層配線プロセス採用) 、高速動作 (内部ゲート遅延：0.19ns/5.0V、0.29ns/3.3V、2入力Power NAND Typ.) など | RAM、ROM、Flash、MCU、PLL、アナログセル、LVDS、RSDS、各種マクロセル搭載可能 | QFP48~256ピン、PBGA、PFBGA、QFN、WCSP |
のついている項目名や値は、Metoreeの自然言語処理アルゴリズムを用いて自動生成された値です。各メーカーの製品を横断して比較しやすくするための参考としてご利用ください。自動生成データは黒色の文字、元データは灰色の文字です。
