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半導体 ASIC エンベデッドアレイ取扱企業
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商品画像 | 品番 | 価格 (税抜) | ステイタス | シリーズ名 | 特徴 | マクロセル | パッケージ | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
S1X80000 |
要見積もり |
MP |
S1X80000シリーズ |
高集積 (0.15μm CMOS 4/5層配線プロセス採用、74Kゲート/mm2) 、高速動作 (内部ゲート遅延:34.5ps/1.8V、2入力NAND Typ.) など |
RAM、PLL, LVDS、RSDS、各種マクロセル搭載可能 |
QFP48~256ピン、PBGA、PFBGA、QFN |
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S1X60000 |
要見積もり |
MP |
S1X60000シリーズ |
高集積 (0.25μm CMOS 3/4/5層配線プロセス採用、搭載ゲート数:最大250万ゲート) 、高速動作 (内部ゲート遅延:107ps/2.5V、2入力Power NAND Typ.) など |
RAM、ROM、Flash、MCU、PLL、LVDS、RSDS、各種マクロセル搭載可能 |
QFP48~256ピン、PBGA、PFBGA、QFN |
||
S1X50000 |
要見積もり |
MP |
S1X50000シリーズ |
高集積 (0.35μm CMOS 3/4層配線プロセス採用) 、高速動作 (内部ゲート遅延:150ps/3.3V、2入力Power NAND Typ.) など |
RAM、ROM、Flash、MCU、PLL、アナログセル、LVDS、RSDS、各種マクロセル搭載可能 |
QFP48~256ピン、PBGA、PFBGA、QFN、WCSP |
||
S1X5V000 |
要見積もり |
MP |
S1X5V000シリーズ |
高集積 (0.35μm CMOS 2/3/4層配線プロセス採用) 、高速動作 (内部ゲート遅延:0.19ns/5.0V、0.29ns/3.3V、2入力Power NAND Typ.) など |
RAM、ROM、Flash、MCU、PLL、アナログセル、LVDS、RSDS、各種マクロセル搭載可能 |
QFP48~256ピン、PBGA、PFBGA、QFN、WCSP |