半導体 ASIC ゲートアレイ
セイコーエプソン株式会社

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この製品について

■ゲートアレイエプソンのゲートアレイは電源、信号配置を自由に設定できるため、既存品の置換えにも最適です。2012年にはお客様のご要求にお応えし、0.35umプロセスで5V単一電源を対応するS1L5V000シリーズを新規に開発、集積度と消費電力の改善にも貢献します。

ゲートアレイは、トランジスタ (ベーシックセル) をあらかじめ規則正しくアレイ (列) 状に配置されたベースバルクを用意して、配線工程のみで LSI を構成します。一般的に、開発期間が短いことが特徴です。また、ゲート数や端子数に応じたベースバルクを選択することが可能です。

■ASIC製品ラインアップエプソンASICは、ゲートアレイ、エンベデッドアレイ、スタンダードセルをラインアップしています。これらのシリーズを採用していただくことにより、お客様に最適なソリューションをご提供します。
・1982年から続く豊富なサポート実績
・自社設計、関連工場生産による一貫オペレーション
・ISO9001、IATF16949認証

型番
この商品には3種類の型番があります

シリーズ
半導体 ASIC ゲートアレイ

取扱企業
セイコーエプソン株式会社

カテゴリ

集積回路

ASIC

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半導体 ASIC ゲートアレイ品番3件

フィルター

品番	価格 (税抜)	ステイタス	シリーズ名 S1L60000シリーズ S1L50000シリーズ S1L5V000シリーズ	特徴超高集積 (0.25µm CMOS3 層/ 4 層配線プロセス採用) 、高速動作 (内部ゲート遅延 2.5V 時 107ps 2 入力 NAND Typ.) など高集積 (0.35µm CMOS2 層/ 3 層/ 4 層配線プロセス採用) 、高速動作 (内部ゲート遅延 3.3V 時 0.14ns 2 入力 Power-NAND Typ.) など高集積 (0.35µm CMOS2 層/ 3 層/ 4 層配線プロセス採用) 、高速動作 (内部ゲート遅延：5.0V時 0.19ns、3.3V時 0.29ns、2入力Power-NAND Typ.) など	遅延時間内部ゲート tpd=107ps (2.5V時, F/O=1,標準配線負荷) tpd=0.14ns (3.3V 時,F/O=2, 標準配線負荷) 、0.21ns (2.0V 時,F/O=2, 標準配線負荷) tpd=0.19ns (5.0V時、F/O=2、標準配線負荷) 、 tpd=0.29ns (3.3V時、F/O=2、標準配線負荷)	遅延時間入力バッファ tpd=270ps (2.5V時, F/O=2, 標準配線負荷) tpd=0.38ns (5.0V 時,F/O=2, 標準配線負荷) レベルシフタ、0.4ns (3.3V 時,F/O=2,標準配線負荷) 、1.3ns (2.0V 時,F/O=2,標準配線負荷) tpd=0.45ns (5.0V時、F/O=2、標準配線負荷) 、tpd=0.55ns (3.3V時、F/O=2、標準配線負荷)	遅延時間出力バッファ tpd=1,600ps (2.5V時, CL=15pF) tpd=2.12ns (5.0V 時) レベルシフタ、2.02ns (3.3V 時) 、3.9ns (2.0V 時) 、CL=15pF tpd=2.07ns (5.0V時) 、 tpd=2.95ns (3.3V時) 、CL=15pF	I/Oレベル CMOS、LVTTL、PCI-3.3V CMOS、LVTTL、PCI-5V、PCI-3.3V CMOS、TTL 、LVTTL	入力モード CMOS、LVTTL、プルアップ/プルダウン、シュミット、レベルシフタ、Fail-safe、Gated LVTTL、CMOS、プルアップ/プルダウン、シュミット、Fail-safe、Gated TTL、LVTTL、CMOS、プルアップ/プルダウン、シュミット、Fail-safe、Gated	出力モードノーマル、オープンドレイン、3ステート、双方向、レベルシフタ、Fail-safe、Gated ノーマル、オープンドレイン、3 ステート、双方向、Fail-safe、Gated ノーマル、オープンドレイン、3ステート、双方向、Fail-safe、Gated
S1L60000	要見積もり	MP	S1L60000シリーズ	超高集積 (0.25µm CMOS3 層/ 4 層配線プロセス採用) 、高速動作 (内部ゲート遅延 2.5V 時 107ps 2 入力 NAND Typ.) など	tpd=107ps (2.5V時, F/O=1,標準配線負荷)	tpd=270ps (2.5V時, F/O=2, 標準配線負荷)	tpd=1,600ps (2.5V時, CL=15pF)	CMOS、LVTTL、PCI-3.3V	CMOS、LVTTL、プルアップ/プルダウン、シュミット、レベルシフタ、Fail-safe、Gated	ノーマル、オープンドレイン、3ステート、双方向、レベルシフタ、Fail-safe、Gated
S1L50000	要見積もり	MP	S1L50000シリーズ	高集積 (0.35µm CMOS2 層/ 3 層/ 4 層配線プロセス採用) 、高速動作 (内部ゲート遅延 3.3V 時 0.14ns 2 入力 Power-NAND Typ.) など	tpd=0.14ns (3.3V 時,F/O=2, 標準配線負荷) 、0.21ns (2.0V 時,F/O=2, 標準配線負荷)	tpd=0.38ns (5.0V 時,F/O=2, 標準配線負荷) レベルシフタ、0.4ns (3.3V 時,F/O=2,標準配線負荷) 、1.3ns (2.0V 時,F/O=2,標準配線負荷)	tpd=2.12ns (5.0V 時) レベルシフタ、2.02ns (3.3V 時) 、3.9ns (2.0V 時) 、CL=15pF	CMOS、LVTTL、PCI-5V、PCI-3.3V	LVTTL、CMOS、プルアップ/プルダウン、シュミット、Fail-safe、Gated	ノーマル、オープンドレイン、3 ステート、双方向、Fail-safe、Gated
S1L5V000	要見積もり	MP	S1L5V000シリーズ	高集積 (0.35µm CMOS2 層/ 3 層/ 4 層配線プロセス採用) 、高速動作 (内部ゲート遅延：5.0V時 0.19ns、3.3V時 0.29ns、2入力Power-NAND Typ.) など	tpd=0.19ns (5.0V時、F/O=2、標準配線負荷) 、 tpd=0.29ns (3.3V時、F/O=2、標準配線負荷)	tpd=0.45ns (5.0V時、F/O=2、標準配線負荷) 、tpd=0.55ns (3.3V時、F/O=2、標準配線負荷)	tpd=2.07ns (5.0V時) 、 tpd=2.95ns (3.3V時) 、CL=15pF	CMOS、TTL 、LVTTL	TTL、LVTTL、CMOS、プルアップ/プルダウン、シュミット、Fail-safe、Gated	ノーマル、オープンドレイン、3ステート、双方向、Fail-safe、Gated