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半導体 ASIC ゲートアレイ取扱企業
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| 商品画像 | 品番 | 価格 (税抜) | ステイタス | シリーズ名 | 特徴 | 遅延時間 内部ゲート | 遅延時間 入力バッファ | 遅延時間 出力バッファ | I/Oレベル | 入力モード | 出力モード | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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S1L60000 |
要見積もり |
MP |
S1L60000シリーズ |
超高集積 (0.25µm CMOS3 層/ 4 層配線プロセス採用) 、高速動作 (内部ゲート遅延 2.5V 時 107ps 2 入力 NAND Typ.) など |
tpd=107ps (2.5V時, F/O=1,標準配線負荷) |
tpd=270ps (2.5V時, F/O=2, 標準配線負荷) |
tpd=1,600ps (2.5V時, CL=15pF) |
CMOS、LVTTL、PCI-3.3V |
CMOS、LVTTL、プルアップ/プルダウン、シュミット、レベルシフタ、Fail-safe、Gated |
ノーマル、オープンドレイン、3ステート、双方向、レベルシフタ、Fail-safe、Gated |
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S1L50000 |
要見積もり |
MP |
S1L50000シリーズ |
高集積 (0.35µm CMOS2 層/ 3 層/ 4 層配線プロセス採用) 、高速動作 (内部ゲート遅延 3.3V 時 0.14ns 2 入力 Power-NAND Typ.) など |
tpd=0.14ns (3.3V 時,F/O=2, 標準配線負荷) 、0.21ns (2.0V 時,F/O=2, 標準配線負荷) |
tpd=0.38ns (5.0V 時,F/O=2, 標準配線負荷) レベルシフタ、0.4ns (3.3V 時,F/O=2,標準配線負荷) 、1.3ns (2.0V 時,F/O=2,標準配線負荷) |
tpd=2.12ns (5.0V 時) レベルシフタ、2.02ns (3.3V 時) 、3.9ns (2.0V 時) 、CL=15pF |
CMOS、LVTTL、PCI-5V、PCI-3.3V |
LVTTL、CMOS、プルアップ/プルダウン、シュミット、Fail-safe、Gated |
ノーマル、オープンドレイン、3 ステート、双方向、Fail-safe、Gated |
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S1L5V000 |
要見積もり |
MP |
S1L5V000シリーズ |
高集積 (0.35µm CMOS2 層/ 3 層/ 4 層配線プロセス採用) 、高速動作 (内部ゲート遅延：5.0V時 0.19ns、3.3V時 0.29ns、2入力Power-NAND Typ.) など |
tpd=0.19ns (5.0V時、F/O=2、標準配線負荷) 、 tpd=0.29ns (3.3V時、F/O=2、標準配線負荷) |
tpd=0.45ns (5.0V時、F/O=2、標準配線負荷) 、tpd=0.55ns (3.3V時、F/O=2、標準配線負荷) |
tpd=2.07ns (5.0V時) 、 tpd=2.95ns (3.3V時) 、CL=15pF |
CMOS、TTL 、LVTTL |
TTL、LVTTL、CMOS、プルアップ/プルダウン、シュミット、Fail-safe、Gated |
ノーマル、オープンドレイン、3ステート、双方向、Fail-safe、Gated |
