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パワーセミコンダクタ＆制御IC LGB18N40ATH-Littelfuseジャパン合同会社

LGB18N40ATH | パワーセミコンダクタ＆制御IC LGB18N40ATH
Littelfuseジャパン合同会社

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TYP BVCES@IC (V)

400

IC 最大 (A)

18

VCE (sat) (V)

1.8

EAS (mJ)

400

PDMAX (W)

115

この製品について

この論理レベル絶縁ゲート バイポーラトランジスタ (IGBT) は、ESDおよび過電圧固定保護を組み合わせたモノリシック回路を特徴とし、誘導コイル駆動アプリケーションに利用されます。主に点火や直接燃料噴射、または高電圧や高電流でのスイッチングが必要な箇所で使用されます。

■特長

・コイルオンプラグのアプリケーションに最適 ・非クランプ誘導性スイッチング (UIS) の面積当たりエネルギーを強化する新しい設計 ・温度補償ゲートコレクタ電圧クランプが負荷応力を制限 ・統合ゲートエミッタESD保護 ・論理レベルのマイクロプロセッサデバイスの電源負荷に対する低い閾値電圧 ・低飽和電圧 ・高いパルス電流対応能力 ・ゲート抵抗およびゲート - エミッタ抵抗をオプションで選択可能

  • 型番

    LGB18N40ATH

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パワーセミコンダクタ＆制御IC LGB18N40ATH LGB18N40ATHの性能表

商品画像 価格 (税抜) TYP BVCES@IC (V) IC 最大 (A) VCE (sat) (V) EAS (mJ) PDMAX (W)
パワーセミコンダクタ＆制御IC LGB18N40ATH-品番-LGB18N40ATH 要見積もり 400 18 1.8 400 115

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コレクター電流 A

5 - 10 10 - 20 20 - 30 30 - 40 40 - 50

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