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リレー・カプラ PhotoMOSリレー GE 1a1b-パナソニックインダストリー株式会社

全型番で同じ値の指標

タイプ

GE

パッケージ

DIP8

電圧タイプ

AC/DC

端子形状

標準P/C板端子

出力構成

1a1b

包装形態

スティック包装

箱入数 1スティック (個)

50

箱入数 外箱 (個)

500

LED電流 ( IF )

50mA

LED逆電圧 ( VR )

5V

せん頭順電流 ( IFP )

1A

許容損失 ( Pin )

75mW

負荷電圧 ( VL )

350V

連続負荷電流 ( IL )

0.12A

ピーク負荷電流 ( Ipeak )

0.36A

出力損失 ( Pout )

800mW

全許容損失 ( Pt )

850mW

耐電圧 ( Viso )

5,000Vrms

使用周囲温度:動作温度 ( Topr )

-40~+85℃

使用周囲温度:保存温度 ( Tstg )

-40~+100℃

接合部温度 ( Tj )

125℃

動作LED電流 (平均)

1.4mA (N.C.) (N.O.)

動作LED電流 (最大)

3mA (N.C.) (N.O.)

復帰LED電流 (最小)

0.4mA (N.C.) (N.O.)

復帰LED電流 (平均)

1.3mA (N.C.) (N.O.)

LED電圧降下 (平均) ( VF )

1.25V

LED電圧降下 (最大) ( VF )

1.5V

オン抵抗 (平均) ( Ron )

18 Ω

オン抵抗 (最大) ( Ron )

25 Ω

開路時漏れ電流 (最大) ( ILeak )

1μA (N.O.) , 10μA (N.C.)

この製品について

■PhotoMOSリレー

・MOSFETを出力素子に採用。AC,DC制御可能な半導体リレー ・主な用途:計測機器・試験装置、セキュリティ機器、産業機器、絶縁監視 ・「 PhotoMOSリレー 」「フォトモス」「PhotoMOSリレー」「フォトモスリレー」はパナソニックホールディングス (株) の商標です。

■PhotoMOSリレー GE 1a1b 特長

・負荷電圧:60 V品にて低オン抵抗 (1 Ω) 、高容量 (0.5 A) を実現 ・負荷電圧:60 V、350 V、400 Vを品揃え ・耐電圧:5,000 V (高耐電圧) ・出力構成:1a1b

■用途

・電源 ・セキュリティ機器 ・電話装置 ・センサ機器 ・計測器 ・通信モデム ・電力・プラント装置

  • 型番

    AQW610EH

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リレー・カプラ PhotoMOSリレー GE 1a1b AQW610EHの性能表

商品画像 価格 (税抜) タイプ パッケージ 電圧タイプ 端子形状 出力構成 包装形態 箱入数 1スティック (個) 箱入数 外箱 (個) LED電流 ( IF ) LED逆電圧 ( VR ) せん頭順電流 ( IFP ) 許容損失 ( Pin ) 負荷電圧 ( VL ) 連続負荷電流 ( IL ) ピーク負荷電流 ( Ipeak ) 出力損失 ( Pout ) 全許容損失 ( Pt ) 耐電圧 ( Viso ) 使用周囲温度:動作温度 ( Topr ) 使用周囲温度:保存温度 ( Tstg ) 接合部温度 ( Tj ) 動作LED電流 (平均) 動作LED電流 (最大) 復帰LED電流 (最小) 復帰LED電流 (平均) LED電圧降下 (平均) ( VF ) LED電圧降下 (最大) ( VF ) オン抵抗 (平均) ( Ron ) オン抵抗 (最大) ( Ron ) 開路時漏れ電流 (最大) ( ILeak )
リレー・カプラ PhotoMOSリレー GE 1a1b-品番-AQW610EH 要見積もり GE DIP8 AC/DC 標準P/C板端子 1a1b スティック包装 50 500 50mA 5V 1A 75mW 350V 0.12A 0.36A 800mW 850mW 5,000Vrms -40~+85℃ -40~+100℃ 125℃ 1.4mA (N.C.) (N.O.) 3mA (N.C.) (N.O.) 0.4mA (N.C.) (N.O.) 1.3mA (N.C.) (N.O.) 1.25V 1.5V 18 Ω 25 Ω 1μA (N.O.) , 10μA (N.C.)

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会社概要

パナソニックインダストリー株式会社は、電子部品・産業デバイス・電子材料の開発・製造・販売を行う、パナソニックホールディングス傘下の大手メーカーです。 2022年に創業し、メカトロニクス・産業デバイス・デバイスソリューシ...

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