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シリコン、サファイア、炭化けい素、セレン化亜鉛、硫化カドミウムの歪み検査 赤外複屈折位相差測定装置 Exicor PV-Si-株式会社東京インスツルメンツ

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測定波長

1,550nm

リタデーション繰り返し測定精度

0.1nm

測定スポットサイズ

2ミリ径

測定時間

最大100点/秒

インゴットサイズ

500×150mm (Squared ingot) 500×210mm (As-grown ingot)

この製品について

■概要

複屈折位相差測定装置Exicor® PV-Siは、シリコン、サファイア、炭化けい素、セレン化亜鉛、硫化カドミウムなどの複屈折分布を波長1,550nmの赤外光で測定します。モデル"500-Si-Ingot"は、シリコンウェーハに切断する前のインゴット (8インチ、500mm長) に対応します。

■特長

・シリコン、サファイア、炭化けい素、セレン化亜鉛、硫化カドミウムの歪み検査 ・インゴットのまま測定 (Squared、As grown ingots)

  • 型番

    Exicor PV-Si

企業レビュー 5.0

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2025年7月9日にレビュー済み

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シリコン、サファイア、炭化けい素、セレン化亜鉛、硫化カドミウムの歪み検査 赤外複屈折位相差測定装置 Exicor PV-Si Exicor PV-Siの性能表

商品画像 価格 (税抜) 測定波長 リタデーション繰り返し測定精度 測定スポットサイズ 測定時間 インゴットサイズ
シリコン、サファイア、炭化けい素、セレン化亜鉛、硫化カドミウムの歪み検査 赤外複屈折位相差測定装置 Exicor PV-Si-品番-Exicor PV-Si 要見積もり 1,550nm 0.1nm 2ミリ径 最大100点/秒 500×150mm (Squared ingot)
500×210mm (As-grown ingot)

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使用用途

#材料分析 #異物解析 #薄膜評価 #ポリマー解析 #医薬品分析 #微小部分析 #化学マッピング #半導体検査 #電子部品解析 #生体試料解析

検出波長域

近赤外型 中赤外型 遠赤外型

測定モード

透過型 反射型 ATR型 透過反射兼用型

走査方式

単点走査型 面走査型 ラスター走査型 フーリエ変換型

構造特性

卓上型 分離型

温度範囲 ℃

-50 - 100 100 - 300 300 - 600 600 - 1,000

温度分解能 mK

50 - 100 100 - 150

最小スポットサイズ µm

5 - 10 10 - 30 30 - 50 50 - 90

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