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プラズマ源
石英導波管直交方式
マイクロ波出力電力
0~1,000W (2.45GHz ± 50MHz)
基板
φ20mm 基板対応
真空計
コールドカソードピラニ－ゲージ、キャパシタンスゲージ
到達真空度/到達圧力
5.0×10^-4 Pa以下 (ターボ分子ポンプ使用時)
リーク量
1.0×10^-8 Pa・m^3/sec以下 (Oリング 透過分を除く)
ガス種
H2 、Ne、N2 、Ar、O2 、CH4 、etc...
試料交換
交換用ハッチ
基板上下機構
ストローク 235mm
基板加熱機構
最高加熱温度 1,000℃
本体架台
キャスター、アジャスター付き (電源部を含む) 重量 約150kg
用力
AC100V 20A、AC200V 3相 20A プロセスガス：SwagelokTM 1/4 又は VCRTM 1/4
型番
MiPC-1000取扱企業
アリオス株式会社カテゴリ
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プラズマ装置の製品86点中、注目ランキング上位6点
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| 商品画像 | 価格 (税抜) | プラズマ源 | マイクロ波出力電力 | 基板 | 真空計 | 到達真空度/到達圧力 | リーク量 | ガス種 | 試料交換 | 基板上下機構 | 基板加熱機構 | 本体架台 | 用力 |
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要見積もり | 石英導波管直交方式 | 0~1,000W (2.45GHz ± 50MHz) | φ20mm 基板対応 | コールドカソードピラニ－ゲージ、キャパシタンスゲージ | 5.0×10^-4 Pa以下 (ターボ分子ポンプ使用時) | 1.0×10^-8 Pa・m^3/sec以下 (Oリング 透過分を除く) | H2 、Ne、N2 、Ar、O2 、CH4 、etc... | 交換用ハッチ | ストローク 235mm | 最高加熱温度 1,000℃ |
キャスター、アジャスター付き (電源部を含む) 重量 約150kg |
AC100V 20A、AC200V 3相 20A プロセスガス：SwagelokTM 1/4 又は VCRTM 1/4 |
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使用用途が研究開発の製品
プラズマ装置をフィルターから探すことができます
使用用途
#フィルム処理 #医療機器加工 #研究開発 #光学部品加工 #材料開発 #接着強化処理 #洗浄除去処理 #電子部品製造 #薄膜形成 #半導体製造 #表面改質プラズマ生成方式
高周波放電型 マイクロ波放電型 パルス放電型 グロー放電型 アーク放電型作動圧力範囲
低圧プラズマ 大気圧プラズマプラズマ性質
非平衡型プラズマ 高密度プラズマ電源 V
100 - 200 200 - 300重量 kg
0 - 100 100 - 500 500 - 1,000 1,000 - 4,000ガス系統
オプション 1系統 2系統 3系統プラズマ出力 W
0 - 100 100 - 600 600 - 1,100
