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半導体 ASIC ゲートアレイ-セイコーエプソン株式会社

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この製品について

■ゲートアレイ

エプソンのゲートアレイは電源、信号配置を自由に設定できるため、既存品の置換えにも最適です。2012年にはお客様のご要求にお応えし、0.35umプロセスで5V単一電源を対応するS1L5V000シリーズを新規に開発、集積度と消費電力の改善にも貢献します。 ゲートアレイは、トランジスタ (ベーシックセル) をあらかじめ規則正しくアレイ (列) 状に配置されたベースバルクを用意して、配線工程のみで LSI を構成します。一般的に、開発期間が短いことが特徴です。また、ゲート数や端子数に応じたベースバルクを選択することが可能です。

■ASIC製品ラインアップ

エプソンASICは、ゲートアレイ、エンベデッドアレイ、スタンダードセルをラインアップしています。これらのシリーズを採用していただくことにより、お客様に最適なソリューションをご提供します。 ・1982年から続く豊富なサポート実績 ・自社設計、関連工場生産による一貫オペレーション ・ISO9001、IATF16949認証

  • 型番

    S1L50000

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半導体 ASIC ゲートアレイ S1L50000の性能表

商品画像 価格 (税抜) ステイタス シリーズ名 特徴 遅延時間 内部ゲート 遅延時間 入力バッファ 遅延時間 出力バッファ I/Oレベル 入力モード 出力モード
半導体 ASIC ゲートアレイ-品番-S1L50000 要見積もり MP S1L50000シリーズ 高集積 (0.35µm CMOS2 層/ 3 層/ 4 層配線プロセス採用) 、高速動作 (内部ゲート遅延 3.3V 時 0.14ns 2 入力 Power-NAND Typ.) など tpd=0.14ns (3.3V 時,F/O=2, 標準配線負荷) 、0.21ns (2.0V 時,F/O=2, 標準配線負荷) tpd=0.38ns (5.0V 時,F/O=2, 標準配線負荷) レベルシフタ、0.4ns (3.3V 時,F/O=2,標準配線負荷) 、1.3ns (2.0V 時,F/O=2,標準配線負荷) tpd=2.12ns (5.0V 時) レベルシフタ、2.02ns (3.3V 時) 、3.9ns (2.0V 時) 、CL=15pF CMOS、LVTTL、PCI-5V、PCI-3.3V LVTTL、CMOS、プルアップ/プルダウン、シュミット、Fail-safe、Gated ノーマル、オープンドレイン、3 ステート、双方向、Fail-safe、Gated

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遅延時間 ps

100 - 500 500 - 1,000 1,000 - 2,000 2,000 - 3,000 3,000 - 4,000

電源電圧 V

1 - 2 2 - 4 4 - 6 6 - 10 10 - 50

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この商品の取り扱い会社情報

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会社概要

セイコーエプソン株式会社は、1942年に創業した精密機器製造メーカーです。 本社を長野県諏訪市に置き、本店を東京都新宿区に置いています。 また国内事業所として、広丘事業所や酒田事業所、大阪事業所などを設けています。 主...

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  • 本社所在地: 長野県

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