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返答率
100.0%
返答時間
196.4時間
測定モード
熱物性分布測定 (1次元・2次元・1点)
測定項目
熱浸透率、 (熱拡散率) 、 (熱伝導率)
検出光スポット径
約3μm
1点測定標準時間
10秒
測定対象薄膜
厚さ 数百nm~数十μm
繰り返し精度
パイレックス、シリコンの熱浸透率で±10%未満
試料
1.試料ホルダー30mm×30mm 厚さ5mm 2.板状試料 30mm×30mm以内で厚さ3mm以内 ・試料表面の鏡面研磨が必要です。 ・試料表面にMoのスパッタリングが必要です。
使用温度範囲
24℃±1℃ (装置内蔵温度センサーによる)
ステージ移動距離
・X軸方向 20mm ・Y軸方向 20mm ・Z軸方向 10mm
加熱用レーザ
半導体レーザ 波長:808nm
検出用レーザ
半導体レーザ 波長:658nm
電源
AC 100V 1.5kVA
本体外形寸法
730 (W) ×620 (D) ×560 (H) mm
電源ボックス外形寸法
620 (W) ×480 (D) ×310 (H) mm
本体重量
80.0kg
電源ボックス重量
26.4kg
型番
TM3取扱企業
株式会社ベテルカテゴリ
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商品画像 | 価格 (税抜) | 測定モード | 測定項目 | 検出光スポット径 | 1点測定標準時間 | 測定対象薄膜 | 繰り返し精度 | 試料 | 使用温度範囲 | ステージ移動距離 | 加熱用レーザ | 検出用レーザ | 電源 | 本体外形寸法 | 電源ボックス外形寸法 | 本体重量 | 電源ボックス重量 | オプション | 標準付属品 |
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要見積もり | 熱物性分布測定 (1次元・2次元・1点) | 熱浸透率、 (熱拡散率) 、 (熱伝導率) | 約3μm | 10秒 | 厚さ 数百nm~数十μm | パイレックス、シリコンの熱浸透率で±10%未満 |
1.試料ホルダー30mm×30mm 厚さ5mm 2.板状試料 30mm×30mm以内で厚さ3mm以内 ・試料表面の鏡面研磨が必要です。 ・試料表面にMoのスパッタリングが必要です。 |
24℃±1℃ (装置内蔵温度センサーによる) |
・X軸方向 20mm ・Y軸方向 20mm ・Z軸方向 10mm |
半導体レーザ 波長:808nm | 半導体レーザ 波長:658nm | AC 100V 1.5kVA | 730 (W) ×620 (D) ×560 (H) mm | 620 (W) ×480 (D) ×310 (H) mm | 80.0kg | 26.4kg |
光学定盤、空調機、空調用ブース、スパッタ装置 |
サンプルホルダー、基準試料 |
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使用用途が計測の製品
マイクロスコープをフィルターから探すことができます
使用用途
#解析 #計測 #撮影 #保存 #共有 #研究開発 #教育 #手作業支援 #傷観察倍率 倍
0 - 20 20 - 50 50 - 100 100 - 200 200 - 300 300 - 500 500 - 5,000撮像素子 インチ
0.2 - 0.3 0.3 - 0.4 0.4 - 0.5 0.5 - 0.6画素数 万画素
0 - 50 50 - 100 100 - 200 200 - 300 300 - 500 500 - 1,300解像度 ピクセル
500 - 1,000 1,000 - 1,500 1,500 - 2,000 2,000 - 2,500 2,500 - 3,000 3,000 - 5,500作動距離 mm
0 - 10 10 - 20 20 - 50 50 - 100 100 - 250 250 - 500視野 mm
0 - 1 1 - 10 10 - 20 20 - 50 50 - 100 100 - 200フレームレート fps
10 - 30 30 - 60 60 - 70電源 V
0 - 5 5 - 100 100 - 200 200 - 300