製品

SICC Co.,Ltd.

中華人民共和国
2010年
1,300人

会社概要

私たちSICC (山東天岳先進科技股份有限公司)は、
2010年に単結晶炭化ケイ素基板(SiCウェーハ)メーカーとして設立致しました。
原料から最終製品までの一貫生産技術、生産体制を保有しており、
本社工場(済南市)と上海工場の主力2拠点での量産体制を敷いております。

創業から第一に品質を重視し、全てに最先端を志向することを通し、
未来にコミットメント出来る持続的な企業体を経営理念として参りました。
2020年には設立10年の節目に株式上場を果たし、これから垂直的な成長を実現して参ります。
豊かな未来を＜結晶化＝具現化＞させる企業を目指して、引き続き尽力して参ります。

生産拠点：本社/済南工場(主力生産拠点)、上海工場(主力生産拠点)、済寧工場
事業拠点：中国、日本、ドイツ、シンガポール、マレーシア
【IATF16949】【ISO9001】【ISO45001】【ISO14001】

【世界シェア２位　n型SiCウェーハ(2023/2024)】*調査会社様調べ
【世界シェアトップ３　半絶縁型SiCウェーハ(2019～)】*調査会社様調べ
【中国初　SiCウェーハをテーマとした株式上場】（証券コード・688234）

【日本法人・SICC GLOBAL㈱】
日本市場への長期的なコミットメントの一環として、
2018年から日本法人を設置しております。
私たちは日本の商習慣を踏まえた細やかさと、
お客様へのダイレクトで迅速な対応を大切に、
SICCの日本市場窓口として活動しています。
日本のお客様の側に立って考え、お客様の生産性向上の一助となれるよう努力して参る所存です。
SICCが日本の皆様の愛される存在であることが出来るよう努めて参りますので、
今後ともご指導ご鞭撻どうぞ宜しくお願い致します。

日本法人：ＳＩＣＣ ＧＬＯＢＡＬ株式会社
株　　主：SICC CO., LTD.(100%)
住　　所：541-0054 大阪府大阪市中央区南本町2丁目3番12号 EDGE本町3F
ご連絡先：info@sicc.cc / 06-7878-6164

事業内容

単結晶炭化ケイ素基板（SiCウェーハ）開発・製造・販売
＊弊社日本法人から最終需要家様への直販を基本とさせていただいております

○ n型 SiCウェーハ
　パワーデバイスの半導体材料として採用されています
○ 半絶縁型 SiCウェーハ
　高周波デバイス(GaN-HEMT)の下地基板として採用されています
○ p型 SiCウェーハ
　SiC-IGBTの半導体材料として期待されています

★Al/ARグラスの光学素材や放熱部材等、新しい用途でのご開発相談を歓迎致します。
★ウェーハ標準規格外の対応について、出来る限り検討させていただきます

【業界初　300mm n型SiCウェーハ発表(2024)】
【p型SiCウェーハ　リリース(2024)】
【300mm全製品発表　n型／p型／半絶縁型(2025)】
【特許世界ランキングTOP５　SiC Substrate(2024)】*調査会社様調べ

会社沿革

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2010年　山東省済南市にて設立
2011年　n型・4インチ量産開始
2014年　半絶縁型・4インチ量産開始
2015年　済南本社工場の拡張
2017年　n型・6インチ量産開始
2018年　日本法人を設立
2019年　済寧工場・操業開始
2022年　株式上場
2023年　n型・8インチ量産開始
2023年　上海工場・操業開始
2024年　n型・12インチ発表
　　　　 p型出荷開始
2025年　半絶縁型、P型・12インチ発表
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主要取引先

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Infineon Technologies AG
他、半導体デバイスメーカーさま

国立研究開発法人産業技術総合研究所
他、研究開発機関さま
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