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イサハヤ電子のトランジスタアレイ

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12 点の製品

イサハヤ電子株式会社

トランジスタアレイ MOS型電界効果トランジスタ (MOS-FET) INJ0002AC1

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■概要 INJ0002AXは、超小形外形樹脂封止形シリコンPチャンネルMOS形トランジスタです。低電圧駆動、及び、ON抵抗を低く設計されておりますので、ポータブル機...


イサハヤ電子株式会社

複合PNPトランジスタ エミッタコモン2素子内蔵 RT2A00AM1

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RT2A00AM1は、PNPトランジスタ ISA1235AC1を2素子内蔵した複合PNPトランジスタです。このトランジスタのご使用によりセットの小型化、部品及び工数の大幅な削...


イサハヤ電子株式会社

複合NPNトランジスタ エミッタコモン2素子内蔵 RT2C00M

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RT2C00Mは、NPNトランジスタ 2SC3052を2素子内蔵した複合NPNトランジスタです。このトランジスタのご使用によりセットの小型化、部品及び工数の大幅な削減が...


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複合NPNトランジスタ エミッタコモン2素子内蔵 RT2C00M-T150

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RT2C00Mは、NPNトランジスタ 2SC3052を2素子内蔵した複合NPNトランジスタです。このトランジスタのご使用によりセットの小型化、部品及び工数の大幅な削減が...


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シリコンPNPエピタキシァル形デュアルトランジスタ 低雑音差動増幅用 RT3A66M

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RT3A66Mは、シリコンPNPエピタキシャルデュアルトランジスタでペア特性が良く、差動増幅用として設計されたものです。 ■特長 ・耐圧が高い VCEO=-150V ・ペ...


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シリコンPNPエピタキシァル形デュアルトランジスタ 低雑音差動増幅用 RT3A66M-T150

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RT3A66Mは、シリコンPNPエピタキシャルデュアルトランジスタでペア特性が良く、差動増幅用として設計されたものです。 ■特長 ・耐圧が高い VCEO=-150V ・ペ...


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複合PNPトランジスタ 独立2素子内蔵 RT3AMMAM1

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RT3AMMAM1は、PNPトランジスタ ISA1235Aを2素子内蔵した複合PNPトランジスタです。このトランジスタのご使用によりセットの小型化、部品及び工数の大幅な削減...


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複合PNPトランジスタ 独立2素子内蔵 RT3AMMAM1-T150

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RT3AMMAM1は、PNPトランジスタ ISA1235Aを2素子内蔵した複合PNPトランジスタです。このトランジスタのご使用によりセットの小型化、部品及び工数の大幅な削減...


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シリコンNPNエピタキシァル形デュアルトランジスタ 差動増幅用 RT3C66M

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RT3C66Mは、シリコンNPNエピタキシャルデュアルトランジスタでペア特性が良く、差動増幅用として設計されたものです。 ■特長 ・耐圧が高い VCEO=160V ・ペア...


イサハヤ電子株式会社

シリコンNPNエピタキシァル形デュアルトランジスタ 差動増幅用 RT3C66M-T150

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RT3C66Mは、シリコンNPNエピタキシャルデュアルトランジスタでペア特性が良く、差動増幅用として設計されたものです。 ■特長 ・耐圧が高い VCEO=160V ・ペア...


イサハヤ電子株式会社

シリコンNPNエピタキシァル形デュアルトランジスタ 高電圧スイッチ用 RT3C88M

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RT3C88Mは、NPNトランジスタを2素子内蔵した複合トランジスタです。このトランジスタのご使用によりセットの小型化、製品及び工数の大幅な削減が可能となりま...


イサハヤ電子株式会社

IGBTゲートプリドライバ 高機能複合トランジスタ RT8H255C

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RT8H255Cは、NPNトランジスタ、PNPトランジスタ、抵抗により構成された複合トランジスタです。このトランジスタのご使用により、セットの小型化、部品及び工...


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