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コレクターエミッター間電圧 V
0 - 500 1,000 - 1,500 1,500 - 2,000 2,000 - 3,000コレクター電流 A
5 - 10 10 - 20 20 - 30 30 - 40 40 - 50VCEsat V
2 - 3 3 - 4 4 - 5 5 - 7熱抵抗接合部ケース間 K/W
0 - 1 1 - 215 点の製品がみつかりました
15 点の製品
Littelfuseジャパン合同会社
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BiMOSFETは、MOSFETとIGBTの長所を兼ね備えたデバイスです。非エピタキシャル構造と新しい製造プロセスを採用したBiMOSFETは、優れた製...
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BiMOSFETは、MOSFETとIGBTの長所を兼ね備えたデバイスです。非エピタキシャル構造と新しい製造プロセスを採用したBiMOSFETは、優れた製...
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GenX3™ IGBTは、堅牢な当社のHDMOS IGBTプロセスを使用して製造したPT (パンチスルー) です。300V GenX3™ IGBTは、最大150kHzのスイッチ...
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この1,700V IGBTシリーズは、10µsの短絡耐性を必要とする高電圧アプリケーション向けの頑丈なNPTデバイスです。特に、高電圧スイッチン...
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GenX3™ IGBTは、堅牢な当社のHDMOS IGBTプロセスを使用して製造したPT (パンチスルー) です。300V GenX3™ IGBTは、最大150kHzのスイッチ...
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最新の閲覧: 17時間前
GenX3™ IGBTは、堅牢な当社のHDMOS IGBTプロセスを使用して製造したPT (パンチスルー) です。 300V GenX3™ IGBTは、最大150kHzのスイッ...
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この論理レベル絶縁ゲート バイポーラトランジスタ (IGBT) は、ESDおよび過電圧固定保護を組み合わせたモノリシック回路を特徴とし、誘...
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リテルヒューズの表面実装電源デバイス (SMPD) パッケージング技術はISOPLUS™のパッケージラインを拡張したもので、標準表面実装 (SMD) ...
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この論理レベル絶縁ゲート バイポーラトランジスタ (IGBT) は、ESDおよび過電圧固定保護を組み合わせたモノリシック回路を特徴とし、誘...
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この論理レベル絶縁ゲート バイポーラトランジスタ (IGBT) は、ESDおよび過電圧固定保護を組み合わせたモノリシック回路を特徴とし、誘...
LittelfuseジャパンのIGBT15製品中の注目ランキング
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