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LittelfuseジャパンのIGBT

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15 点の製品

Littelfuseジャパン合同会社

パワーセミコンダクタ&制御IC IXBA16N170AHV

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最新の閲覧: 1日前

BiMOSFETは、MOSFETとIGBTの長所を兼ね備えたデバイスです。非エピタキシャル構造と新しい製造プロセスを採用したBiMOSFETは、優れた製...


Littelfuseジャパン合同会社

パワーセミコンダクタ&制御IC IXBH10N170

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BiMOSFETは、MOSFETとIGBTの長所を兼ね備えたデバイスです。非エピタキシャル構造と新しい製造プロセスを採用したBiMOSFETは、優れた製...


Littelfuseジャパン合同会社

パワーセミコンダクタ&制御IC IXBH16N170

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最新の閲覧: 12時間前

BiMOSFETは、MOSFETとIGBTの長所を兼ね備えたデバイスです。非エピタキシャル構造と新しい製造プロセスを採用したBiMOSFETは、優れた製...


Littelfuseジャパン合同会社

パワーセミコンダクタ&制御IC IXGA24N120C3

最新の閲覧: 4時間前

GenX3™ IGBTは、堅牢な当社のHDMOS IGBTプロセスを使用して製造したPT (パンチスルー) です。300V GenX3™ IGBTは、最大150kHzのスイッチ...


Littelfuseジャパン合同会社

パワーセミコンダクタ&制御IC IXGF32N170

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この1,700V IGBTシリーズは、10µsの短絡耐性を必要とする高電圧アプリケーション向けの頑丈なNPTデバイスです。特に、高電圧スイッチン...


Littelfuseジャパン合同会社

パワーセミコンダクタ&制御IC IXGH10N170

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この1,700V IGBTシリーズは、10µsの短絡耐性を必要とする高電圧アプリケーション向けの頑丈なNPTデバイスです。特に、高電圧スイッチン...


Littelfuseジャパン合同会社

パワーセミコンダクタ&制御IC IXGH10N170A

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最新の閲覧: 9秒前

この1,700V IGBTシリーズは、10µsの短絡耐性を必要とする高電圧アプリケーション向けの頑丈なNPTデバイスです。特に、高電圧スイッチン...


Littelfuseジャパン合同会社

パワーセミコンダクタ&制御IC IXGH24N120C3

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最新の閲覧: 22時間前

GenX3™ IGBTは、堅牢な当社のHDMOS IGBTプロセスを使用して製造したPT (パンチスルー) です。300V GenX3™ IGBTは、最大150kHzのスイッチ...


Littelfuseジャパン合同会社

パワーセミコンダクタ&制御IC IXGH24N120C3H1

最新の閲覧: 1日前

GenX3™ IGBTは、堅牢な当社のHDMOS IGBTプロセスを使用して製造したPT (パンチスルー) です。 300V GenX3™ IGBTは、最大150kHzのスイッ...


Littelfuseジャパン合同会社

パワーセミコンダクタ&制御IC LGB18N40ATH

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この論理レベル絶縁ゲート バイポーラトランジスタ (IGBT) は、ESDおよび過電圧固定保護を組み合わせたモノリシック回路を特徴とし、誘...


Littelfuseジャパン合同会社

パワーセミコンダクタ&制御IC SMPD パッケージ - IGBT MMIX4B12N300

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リテルヒューズの表面実装電源デバイス (SMPD) パッケージング技術はISOPLUS™のパッケージラインを拡張したもので、標準表面実装 (SMD) ...


Littelfuseジャパン合同会社

パワーセミコンダクタ&制御IC SMPD パッケージ - IGBT MMIX4B20N300

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リテルヒューズの表面実装電源デバイス (SMPD) パッケージング技術はISOPLUS™のパッケージラインを拡張したもので、標準表面実装 (SMD) ...


Littelfuseジャパン合同会社

パワーセミコンダクタ&制御IC SMPD パッケージ - IGBT MMIX4B22N300

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最新の閲覧: 1日前

リテルヒューズの表面実装電源デバイス (SMPD) パッケージング技術はISOPLUS™のパッケージラインを拡張したもので、標準表面実装 (SMD) ...


Littelfuseジャパン合同会社

パワーセミコンダクタ&制御IC NGB15N41ACLT4G

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この論理レベル絶縁ゲート バイポーラトランジスタ (IGBT) は、ESDおよび過電圧固定保護を組み合わせたモノリシック回路を特徴とし、誘...


Littelfuseジャパン合同会社

パワーセミコンダクタ&制御IC NGD15N41ACLT4G

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最新の閲覧: 22時間前

この論理レベル絶縁ゲート バイポーラトランジスタ (IGBT) は、ESDおよび過電圧固定保護を組み合わせたモノリシック回路を特徴とし、誘...


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