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15 点の製品
Littelfuseジャパン合同会社
最新の閲覧: 11時間前
BiMOSFETは、MOSFETとIGBTの長所を兼ね備えたデバイスです。非エピタキシャル構造と新しい製造プロセスを採用したBiMOSFETは、優れた製品に仕上がっています...
Littelfuseジャパン合同会社
最新の閲覧: 11時間前
BiMOSFETは、MOSFETとIGBTの長所を兼ね備えたデバイスです。非エピタキシャル構造と新しい製造プロセスを採用したBiMOSFETは、優れた製品に仕上がっています...
Littelfuseジャパン合同会社
最新の閲覧: 8時間前
BiMOSFETは、MOSFETとIGBTの長所を兼ね備えたデバイスです。非エピタキシャル構造と新しい製造プロセスを採用したBiMOSFETは、優れた製品に仕上がっています...
Littelfuseジャパン合同会社
最新の閲覧: 11時間前
GenX3™ IGBTは、堅牢な当社のHDMOS IGBTプロセスを使用して製造したPT (パンチスルー) です。300V GenX3™ IGBTは、最大150kHzのスイッチング機能を提供し、電...
Littelfuseジャパン合同会社
最新の閲覧: 11時間前
この1,700V IGBTシリーズは、10µsの短絡耐性を必要とする高電圧アプリケーション向けの頑丈なNPTデバイスです。特に、高電圧スイッチングアプリケーションに...
Littelfuseジャパン合同会社
最新の閲覧: 10時間前
この1,700V IGBTシリーズは、10µsの短絡耐性を必要とする高電圧アプリケーション向けの頑丈なNPTデバイスです。特に、高電圧スイッチングアプリケーションに...
Littelfuseジャパン合同会社
最新の閲覧: 7時間前
この1,700V IGBTシリーズは、10µsの短絡耐性を必要とする高電圧アプリケーション向けの頑丈なNPTデバイスです。特に、高電圧スイッチングアプリケーションに...
Littelfuseジャパン合同会社
最新の閲覧: 7時間前
GenX3™ IGBTは、堅牢な当社のHDMOS IGBTプロセスを使用して製造したPT (パンチスルー) です。300V GenX3™ IGBTは、最大150kHzのスイッチング機能を提供し、電...
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最新の閲覧: 11時間前
GenX3™ IGBTは、堅牢な当社のHDMOS IGBTプロセスを使用して製造したPT (パンチスルー) です。 300V GenX3™ IGBTは、最大150kHzのスイッチング機能を提供し、...
Littelfuseジャパン合同会社
最新の閲覧: 11時間前
この論理レベル絶縁ゲート バイポーラトランジスタ (IGBT) は、ESDおよび過電圧固定保護を組み合わせたモノリシック回路を特徴とし、誘導コイル駆動アプリケ...
Littelfuseジャパン合同会社
最新の閲覧: 11時間前
リテルヒューズの表面実装電源デバイス (SMPD) パッケージング技術はISOPLUS™のパッケージラインを拡張したもので、標準表面実装 (SMD) はんだ付けプロセスで...
Littelfuseジャパン合同会社
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リテルヒューズの表面実装電源デバイス (SMPD) パッケージング技術はISOPLUS™のパッケージラインを拡張したもので、標準表面実装 (SMD) はんだ付けプロセスで...
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リテルヒューズの表面実装電源デバイス (SMPD) パッケージング技術はISOPLUS™のパッケージラインを拡張したもので、標準表面実装 (SMD) はんだ付けプロセスで...
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この論理レベル絶縁ゲート バイポーラトランジスタ (IGBT) は、ESDおよび過電圧固定保護を組み合わせたモノリシック回路を特徴とし、誘導コイル駆動アプリケ...
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この論理レベル絶縁ゲート バイポーラトランジスタ (IGBT) は、ESDおよび過電圧固定保護を組み合わせたモノリシック回路を特徴とし、誘導コイル駆動アプリケ...
LittelfuseジャパンのIGBT15製品中の注目ランキング
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