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新陽のGaNパワーデバイス

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株式会社新陽

GaNウェハー

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GaN (窒化ガリウム、ガリウムナイトライド) は、シリコンに比べて、バンドギャップが約3倍 (3.42eV) 広く、絶縁破壊電圧も約10倍 (3.0MV...




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