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12 点の製品
Littelfuseジャパン合同会社
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NチャネルHiPerFETディスクリートMOSFET- パワーセミコンダクタHiPerFET製品群は、最も低いRDS (on) 、低RthJC、低Qg、向上したDV/DT特性を提供します。 ■メ...
Littelfuseジャパン合同会社
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NチャネルHiPerFETディスクリートMOSFET- パワーセミコンダクタHiPerFET製品群は、最も低いRDS (on) 、低RthJC、低Qg、向上したDV/DT特性を提供します。 ■メ...
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NチャネルHiPerFETディスクリートMOSFET- パワーセミコンダクタHiPerFET製品群は、最も低いRDS (on) 、低RthJC、低Qg、向上したDV/DT特性を提供します。 ■メ...
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IXFH17mΩという低いオン抵抗と22〜150Aの定格電流により、これらのIXFH34N60X2Aデバイスはソフトスイッチング共振モードの電力変換アプリケーションに最適化...
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IXFH17mΩという低いオン抵抗と22〜150Aの定格電流により、これらのIXFH34N60X2Aデバイスはソフトスイッチング共振モードの電力変換アプリケーションに最適化...
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IXFH17mΩという低いオン抵抗と22〜150Aの定格電流により、これらのIXFH34N60X2Aデバイスはソフトスイッチング共振モードの電力変換アプリケーションに最適化...
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パワー MOSFETを必要とするアプリケーションが電流飽和領域で動作するよう設計されたこれらのユニークなデバイスは、低い熱抵抗、高い電力密度、広い順バイア...
Littelfuseジャパン合同会社
最新の閲覧: 11時間前
デプリーションモードMOSFETは、通常のエンハンスメント型MOSFETとは異なり、オフにするために負のゲートバイアスを必要とします。その結果、ゼロ以上のゲー...
Littelfuseジャパン合同会社
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パワー MOSFETを必要とするアプリケーションが電流飽和領域で動作するよう設計されたこれらのユニークなデバイスは、低い熱抵抗、高い電力密度、広い順バイア...
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パワー MOSFETを必要とするアプリケーションが電流飽和領域で動作するよう設計されたこれらのユニークなデバイスは、低い熱抵抗、高い電力密度、広い順バイア...
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デプリーションモードMOSFETは、通常のエンハンスメント型MOSFETとは異なり、オフにするために負のゲートバイアスを必要とします。その結果、ゼロ以上のゲー...
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デプリーションモードMOSFETは、通常のエンハンスメント型MOSFETとは異なり、オフにするために負のゲートバイアスを必要とします。その結果、ゼロ以上のゲー...
LittelfuseジャパンのMOSFET12製品中の注目ランキング
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