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LittelfuseジャパンのMOSFET

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Littelfuseジャパン合同会社

パワーセミコンダクタ&制御IC MOSFET (Si/SiC) Nチャネル HiPerFET Polar™ IXFA10N60P

最新の閲覧: 11時間前

NチャネルHiPerFETディスクリートMOSFET- パワーセミコンダクタHiPerFET製品群は、最も低いRDS (on) 、低RthJC、低Qg、向上したDV/DT特性を提供します。 ■メ...


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パワーセミコンダクタ&制御IC MOSFET (Si/SiC) Nチャネル HiPerFET Polar™ IXFA10N80P

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NチャネルHiPerFETディスクリートMOSFET- パワーセミコンダクタHiPerFET製品群は、最も低いRDS (on) 、低RthJC、低Qg、向上したDV/DT特性を提供します。 ■メ...


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Littelfuseジャパン合同会社

パワーセミコンダクタ&制御IC MOSFET (Si/SiC) Nチャネル HiPerFET Polar™ IXFA12N50P

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NチャネルHiPerFETディスクリートMOSFET- パワーセミコンダクタHiPerFET製品群は、最も低いRDS (on) 、低RthJC、低Qg、向上したDV/DT特性を提供します。 ■メ...


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パワーセミコンダクタ&制御IC MOSFET (Si/SiC) ウルトラジャンクション X2 クラス IXFH34N60X2A

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IXFH17mΩという低いオン抵抗と22〜150Aの定格電流により、これらのIXFH34N60X2Aデバイスはソフトスイッチング共振モードの電力変換アプリケーションに最適化...


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パワーセミコンダクタ&制御IC MOSFET (Si/SiC) ウルトラジャンクション X2 クラス IXFH46N60X2A

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IXFH17mΩという低いオン抵抗と22〜150Aの定格電流により、これらのIXFH34N60X2Aデバイスはソフトスイッチング共振モードの電力変換アプリケーションに最適化...


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パワーセミコンダクタ&制御IC MOSFET (Si/SiC) ウルトラジャンクション X2 クラス IXFH60N60X2A

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IXFH17mΩという低いオン抵抗と22〜150Aの定格電流により、これらのIXFH34N60X2Aデバイスはソフトスイッチング共振モードの電力変換アプリケーションに最適化...


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パワーセミコンダクタ&制御IC MOSFET (Si/SiC) Nチャネルリニア L2™ IXTA15N50L2

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パワー MOSFETを必要とするアプリケーションが電流飽和領域で動作するよう設計されたこれらのユニークなデバイスは、低い熱抵抗、高い電力密度、広い順バイア...


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パワーセミコンダクタ&制御IC MOSFET (Si/SiC) Nチャネル デプレッションモード IXTA1N170DHV

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デプリーションモードMOSFETは、通常のエンハンスメント型MOSFETとは異なり、オフにするために負のゲートバイアスを必要とします。その結果、ゼロ以上のゲー...


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パワーセミコンダクタ&制御IC MOSFET (Si/SiC) Nチャネルリニア L2™ IXTA30N25L2

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パワー MOSFETを必要とするアプリケーションが電流飽和領域で動作するよう設計されたこれらのユニークなデバイスは、低い熱抵抗、高い電力密度、広い順バイア...


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Littelfuseジャパン合同会社

パワーセミコンダクタ&制御IC MOSFET (Si/SiC) Nチャネルリニア L2™ IXTA64N10L2

最新の閲覧: 11時間前

パワー MOSFETを必要とするアプリケーションが電流飽和領域で動作するよう設計されたこれらのユニークなデバイスは、低い熱抵抗、高い電力密度、広い順バイア...


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Littelfuseジャパン合同会社

パワーセミコンダクタ&制御IC MOSFET (Si/SiC) Nチャネル デプレッションモード IXTH10N100D

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デプリーションモードMOSFETは、通常のエンハンスメント型MOSFETとは異なり、オフにするために負のゲートバイアスを必要とします。その結果、ゼロ以上のゲー...


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パワーセミコンダクタ&制御IC MOSFET (Si/SiC) Nチャネル デプレッションモード IXTH1N170DHV

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デプリーションモードMOSFETは、通常のエンハンスメント型MOSFETとは異なり、オフにするために負のゲートバイアスを必要とします。その結果、ゼロ以上のゲー...


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