三社電機製作所のパワートランジスタ
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三社電機製作所のパワートランジスタ5製品中の注目ランキング
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株式会社三社電機製作所
IGBT
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27.3時間 平均返答時間
■特長 MOSFETを高耐圧化するためにはドリフト層を厚くする必要があり、オン抵抗が高くなるという弱点があります。IGBTは裏面側P層からホール (正孔) をN-層に...
2種類の品番
株式会社三社電機製作所
SiC MOSFET
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最新の閲覧: 3時間前
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■特徴 IGBTの弱点である高速スイッチングを克服したデバイスです。SiC (シリコンカーバイト) は絶縁破壊強度がSiの10倍であるために同じ耐圧でもN-ドリフト層...
2種類の品番
株式会社三社電機製作所
ディスクリート / SiC MOSFET
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最新の閲覧: 1日前
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100.0% 返答率
27.3時間 平均返答時間
■パワー半導体とは 三社電機グループが開発・製造している半導体は、よく知られているメモリーやマイコンなどの集積回路半導体ではなく、大きな電流や電圧の...
