三社電機製作所のバイポーラトランジスタ
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株式会社三社電機製作所
IGBT
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■特長 MOSFETを高耐圧化するためにはドリフト層を厚くする必要があり、オン抵抗が高くなるという弱点があります。IGBTは裏面側P層からホール (正孔) をN-層に...
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