Qu’est-ce qu’une mémoire morte reprogrammable (EPROM) ?
Les mémoires mortes reprogrammables (EPROM) sont des mémoires à semi-conducteurs dans lesquelles les données peuvent être écrites et effacées un certain nombre de fois.
Les mémoires mortes reprogrammables (EPROM) effacent toutes les données de la mémoire en l’exposant à un fort rayonnement ultraviolet pendant un certain temps.
Il n’est donc pas possible d’effacer les données, il n’en reste qu’une partie. Il convient également de noter qu’une exposition continue à la lumière du soleil ou à une lumière fluorescente pendant une longue période effacera les données. Comme les données ne peuvent être réécrites que quelques dizaines de fois et que l’effacement des données prend un certain temps, les EPROMs (Electrically Erasable PROMs) et les mémoires flash, qui utilisent l’électricité pour effacer les données, ont remplacé ces dernières années les EPROMs.
Utilisations des mémoires mortes reprogrammables (EPROM)
Les mémoires mortes reprogrammes (EPROM) sont utilisées dans les équipements contrôlés par ordinateur, où des programmes et des données sont écrits sur ces mémoires. Elles peuvent effacer et écrire des données plusieurs fois. Cependant, elles doivent être soumises à un dispositif d’irradiation aux ultraviolets pour effacer les données.
Lorsqu’elles sont incorporées dans un équipement électronique, les mémoires mortes reprogrammables (EPROM) doivent être retirées de l’équipement électronique et soumises à une irradiation UV à chaque fois que des données sont réécrites. C’est pourquoi les EEPROM qui peuvent être réécrites électriquement se généralisent.
Structure des mémoires mortes reprogrammables (EPROM)
Dans une mémoire morte reprogrammable (EPROM), un bit de données est contenu dans un transistor. Le transistor qui contient les données est appelé transistor de la cellule de mémoire.
Le transistor de la cellule de mémoire d’une mémoires mortes reprogrammables (EPROM) possède une grille flottante isolée électriquement, noyée dans le film d’oxyde de la grille.
Au-dessus de la grille flottante se trouve une électrode, appelée grille de contrôle, qui est utilisée pour la lecture et l’écriture des données. Dans une mémoires mortes reprogrammables (EPROM), ces cellules de mémoire sont disposées en grille.
Principe des mémoires mortes reprogrammables (EPROM)
Le principe des mémoires mortes reprogrammables (EPROM) s’explique en points.
1. Principe d’écriture
En appliquant une tension élevée à la porte de contrôle du transistor de la cellule de mémoire, les électrons circulant entre la source et le drain dans le canal du transistor de la cellule de mémoire acquièrent une énergie élevée. Certains des électrons énergisés sautent par-dessus le film d’oxyde de la grille et sont injectés dans la grille flottante. Cela a pour effet de charger cette dernière négativement. Lorsque la porte flottante devient chargée négativement, les données ont été enregistrées.
2. Principe de lecture
La tension appliquée à la porte de contrôle pour que le transistor fonctionne est appelée tension de seuil. Un transistor de cellule de mémoire dans lequel des données ont été écrites et la porte flottante chargée négativement nécessitent une tension de seuil plus élevée appliquée à la porte de contrôle qu’un transistor de cellule de mémoire dans lequel aucune donnée n’a été écrite pour fonctionner.
La tension entre la tension de seuil du transistor de cellule de mémoire, dans lequel aucune donnée n’a été écrite, et la tension de seuil du transistor de cellule de mémoire, dans lequel des données ont été écrites, est appelée tension de lecture. La présence ou l’absence de données peut être déterminée par l’activation ou la désactivation du transistor de la cellule de mémoire lorsque la tension de lecture est appliquée.
3. Principe d’effacement
L’irradiation par la lumière ultraviolette fait passer les électrons de la porte flottante dans un état de haute énergie. Les électrons excités sautent par-dessus le film d’oxyde de la grille et sont libérés dans le substrat et la grille de contrôle. La grille flottante qui a libéré les électrons devient électriquement neutre et la tension de seuil du transistor à cellule de mémoire revient à sa valeur initiale.
C’est le principe de l’effacement des données par les transistors des cellules de mémoire : si les mémoires mortes reprogrammables (EPROM) effacent toutes les données en une seule fois, c’est parce qu’il est difficile de concentrer le rayonnement UV sur un transistor spécifique de la cellule de mémoire.
Autres informations sur les mémoires mortes reprogrammables (EPROM)
Capacité de mémoire des EPROMs et numéro de modèle (EPROM)
Les capacités de mémoire des EPROMs vont de 2 kilobits (256 octets) à 32 mégabits (4 mégaoctets) et peuvent être trouvées dans les numéros de modèle. Les numéros de modèle des EPROMs commencent par 27, comme 2732 et 2764. Le chiffre qui suit 27 dans le numéro de modèle correspond à la capacité de mémoire.
Par exemple, 2732 indique une capacité de 32 kilobits, tandis que 2764 indique une capacité de 64 kilobits. Un C après 27 dans le numéro de modèle, tel que 27C32 et 27C64, indique que le transistor de la cellule de mémoire a une structure CMOS.