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シリコンカーバイド-シリコンカーバイド
シリコンカーバイド-株式会社新陽

シリコンカーバイド
株式会社新陽



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この製品について

SiC (炭化ケイ素,シリコンカーバイド) は、シリコンに比べてバンドギャップが約3倍 (3.26eV) 広く、熱伝導率も3倍以上 (4.9W/cm・k) 、絶縁破壊電圧にいたりましては約10倍 (2.8MV/cm) という特性を持ち、Siと同じ10mΩ・cm2までオン抵抗を下げた時、耐圧は1200Vに達します。SiCパワー半導体素子の特徴は、小さなオン抵抗、短いスイッチング時間、高温動作、であり、パワーMOSFET,IGBT,ショットキー・バリア・ダイオード (SBD) 等に適しております。 また、これら半導体の他、発光ダイオード (LED) の基板としても使用されております。

  • シリーズ

    シリコンカーバイド

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会社概要

株式会社新陽は、シリコンやゲルマニウムなどの素材を販売する商社です。 半導体材料として用いられるシリコン、スマートフォンのカバーガラスに用いられるサファイア、レアメタル溶解用の耐熱容器として活用されるタングステンなどの...

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  • 本社所在地: 大阪府
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