熱処理・加熱装置 赤外線イメージ炉 実験用途 赤外線ランプ加熱装置 RTP-6
アルバック販売株式会社
この製品について
■概要
最大6インチまでのランプアニール装置。個別半導体プロセスのシリサイド形成や化合物半導体のプロセスアニールが可能です。■用途
Siウェハの急速熱処理が可能■特長
コールドウォール構造の為、重金属汚染がありません。-
シリーズ
熱処理・加熱装置 赤外線イメージ炉 実験用途 赤外線ランプ加熱装置 RTP-6
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取扱企業
アルバック販売株式会社
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熱処理・加熱装置 赤外線イメージ炉 実験用途 赤外線ランプ加熱装置 RTP-6 品番1件
| 商品画像 | 品番 | 価格 (税抜) | 温度範囲 | 試料寸法 | 測定雰囲気 | アプリケーション |
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RTP-6 |
要見積もり | 室温~1,000℃ | 4インチ~6インチウェハサイズ | ガス中、ガスフロー中、大気中 |
ターボ分子ポンプ／ロータリーポンプ排気セット 冷却水循環装置 パイロメータ制御 SiCカーボンサセプタ |
のついている項目名や値は、Metoreeの自然言語処理アルゴリズムを用いて自動生成された値です。各メーカーの製品を横断して比較しやすくするための参考としてご利用ください。自動生成データは黒色の文字、元データは灰色の文字です。
