パワーエレクトロニクス向けラピッドプロトタイピングツール biRAPID SiCインバータ実験セット HEK-INV-A-HEK-INV-A
パワーエレクトロニクス向けラピッドプロトタイピングツール biRAPID SiCインバータ実験セット HEK-INV-A-ヘッドスプリング株式会社

パワーエレクトロニクス向けラピッドプロトタイピングツール biRAPID SiCインバータ実験セット HEK-INV-A
ヘッドスプリング株式会社



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この製品について

■biRAPIDを導入した研究・開発で、製品の市場投入までを『高速』 (RAPID) に

パワーエレクトロニクス機器の試作・製造には多くのノウハウ、手間、時間、費用が必要となります。近年SiCやGaNといった高速に動作する半導体を用いることも多く、この場合は設計難易度も格段に高くなります。苦労して設計、試作をしてもノイズでの誤動作などが発生すれば、再度設計・試作を行う必要が生じ、さらに時間を要することとなります。 パワーエレクトロニクスの開発において、迅速 (Rapid) に製品の試作モデルを作成する (Prototyping) 開発方法であるラピッドプロトタイピングを実現する製品「biRAPID」をご用意しました。biRAPIDを用いて、企画・設計・試作のフィードバックサイクルを高速化できます。

■パワーエレクトロニクスをパーツで分け、モジュールに

パワーエレクトロニクスの製品やシステムは、変換器、コントローラ、センサなどのパーツで構成されます。それぞれのパーツで分け、モジュールにしたものがbiRAPIDです。お客様のシステムの一部を「biRAPID」のパーツで置き換えることで、試作が必要な箇所を減らし、研究開発・製品開発を高速化することができます。

■すぐに動作実験が可能なSiCインバータセット多数の回路構成・動作条件で実験

SiC三相インバータとコントローラ、サンプルソフトウェア等を組み合わせて、制御用のAC100Vを投入するだけで三相インバータとして動作させられるようにしたセットです。ROHM製SiC-MOSFETを6個搭載した三相フルブリッジインバータで、最大定格電力10kVAでの動作が可能です。24Vの制御電源とサンプルソフトが付属します。

■すぐに動作実験が可能なSiCインバータセット

電源・負荷への配線のみですぐに実験が可能

■多数の回路構成・動作条件で実験

サンプルソフトでチョッパやインバータ動作に切替可能操作ボードでスイッチング周波数・変調率等を変更

■ソフトウェア開発も

HSDT-KIT-B (パワーエレクトロニクス開発用キット) 併用でソフトウェア開発も可能

  • シリーズ

    パワーエレクトロニクス向けラピッドプロトタイピングツール biRAPID SiCインバータ実験セット HEK-INV-A

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パワーエレクトロニクス向けラピッドプロトタイピングツール biRAPID SiCインバータ実験セット HEK-INV-A 品番1件

商品画像 品番 価格 (税抜) 直流側電圧範囲 交流側最大電流 最大スイッチング周波数 最小デッドタイム 操作スイッチ 表示用LED 制御方式 保護機能 制御電源 装置サイズ
パワーエレクトロニクス向けラピッドプロトタイピングツール biRAPID SiCインバータ実験セット HEK-INV-A-品番-HEK-INV-A

HEK-INV-A

要見積もり 0V~400V ※P-N 端子間電圧 30Arms ※U、V、W 端子電流 200kHz ※ロータリースイッチによって選択可能 200ns ※ロータリースイッチによって選択可能 トグルスイッチ8個
ロータリースイッチ1
黄: 8個 / 赤: 4個 / 緑: 5個 チョッパ出力 / 単相交流出力 / 三相交流出力 ※スイッチにより制御方式が選択可能 交流過電流保護 / 直流過電圧保護 ※保護閾値は基板上の可変抵抗で調整可能 AC100V W: 215mm / D: 125mm / H: 150mm ※三相インバータにコントローラと操作ボードを重ねて配置

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この商品の取り扱い会社情報

会社概要

ヘッドスプリング株式会社は、2014年に設立された新エネルギー製品メーカーです。 次世代パワー半導体を使用した小型・双方向の電力変換器や産業用のハイブリッド蓄電システムを取り扱っているほか、新興国向けソリューション事業...

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  • 本社所在地: 東京都
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