パワーエレクトロニクス向けラピッドプロトタイピングツール biRAPID SiCインバータ実験セット HEK-INV-A-HEK-INV-A

パワーエレクトロニクス向けラピッドプロトタイピングツール biRAPID SiCインバータ実験セット HEK-INV-A
ヘッドスプリング株式会社

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この製品について

■biRAPIDを導入した研究・開発で、製品の市場投入までを『高速』 (RAPID) にパワーエレクトロニクス機器の試作・製造には多くのノウハウ、手間、時間、費用が必要となります。近年SiCやGaNといった高速に動作する半導体を用いることも多く、この場合は設計難易度も格段に高くなります。苦労して設計、試作をしてもノイズでの誤動作などが発生すれば、再度設計・試作を行う必要が生じ、さらに時間を要することとなります。 パワーエレクトロニクスの開発において、迅速 (Rapid) に製品の試作モデルを作成する (Prototyping) 開発方法であるラピッドプロトタイピングを実現する製品「biRAPID」をご用意しました。biRAPIDを用いて、企画・設計・試作のフィードバックサイクルを高速化できます。

■パワーエレクトロニクスをパーツで分け、モジュールにパワーエレクトロニクスの製品やシステムは、変換器、コントローラ、センサなどのパーツで構成されます。それぞれのパーツで分け、モジュールにしたものがbiRAPIDです。お客様のシステムの一部を「biRAPID」のパーツで置き換えることで、試作が必要な箇所を減らし、研究開発・製品開発を高速化することができます。

■すぐに動作実験が可能なSiCインバータセット多数の回路構成・動作条件で実験SiC三相インバータとコントローラ、サンプルソフトウェア等を組み合わせて、制御用のAC100Vを投入するだけで三相インバータとして動作させられるようにしたセットです。ROHM製SiC-MOSFETを6個搭載した三相フルブリッジインバータで、最大定格電力10kVAでの動作が可能です。24Vの制御電源とサンプルソフトが付属します。

■すぐに動作実験が可能なSiCインバータセット電源・負荷への配線のみですぐに実験が可能

■多数の回路構成・動作条件で実験サンプルソフトでチョッパやインバータ動作に切替可能操作ボードでスイッチング周波数・変調率等を変更

■ソフトウェア開発もHSDT-KIT-B (パワーエレクトロニクス開発用キット) 併用でソフトウェア開発も可能

型番
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シリーズ
パワーエレクトロニクス向けラピッドプロトタイピングツール biRAPID SiCインバータ実験セット HEK-INV-A

取扱企業
ヘッドスプリング株式会社

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パワーエレクトロニクス向けラピッドプロトタイピングツール biRAPID SiCインバータ実験セット HEK-INV-A 品番1件

商品画像	品番	価格 (税抜)	直流側電圧範囲	交流側最大電流	最大スイッチング周波数	最小デッドタイム	操作スイッチ	表示用LED	制御方式	保護機能	制御電源	装置サイズ
	HEK-INV-A	要見積もり	0V~400V ※P-N 端子間電圧	30Arms ※U、V、W 端子電流	200kHz ※ロータリースイッチによって選択可能	200ns ※ロータリースイッチによって選択可能	トグルスイッチ8個ロータリースイッチ1	黄: 8個 / 赤: 4個 / 緑: 5個	チョッパ出力 / 単相交流出力 / 三相交流出力 ※スイッチにより制御方式が選択可能	交流過電流保護 / 直流過電圧保護 ※保護閾値は基板上の可変抵抗で調整可能	AC100V	W: 215mm / D: 125mm / H: 150mm ※三相インバータにコントローラと操作ボードを重ねて配置