プラズマストリッパー・デスカム装置 CV200RFS
ハイソル株式会社

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この製品について

低圧環境下でプラズマを用いたストリッピング・デスカムを行うシステムです。従来のウェットエッチング方式と比較して薬液を使用しないプロセスの為安全性が高く、マニュアルロードのCV200RFSはR&D、少量生産用途に最適です。タッチパネルによる簡便な操作で、最適な処理条件を設定できます。

■アプリケーション・フォトレジスト除去
・有機物除去
・表面改質
・コンタミ (フラックス等) の除去
・ポリイミド除去
・エッチング
・デスカム　レジスト残渣除去

■装置特長・チャンバー内のホットプレート上でプラズマ処理。正確な温度制御によりストリップレートをコントロールし、また、熱に弱いワークも処理可能
・任意のガス4種を選択可能、オプションのマスフローコントローラでCPUによるガス混合、流量コントロールが可能
・最大12種のクリーニング条件をメモリーし、フロントパネルの操作で容易にプログラム設定
・プラズマ出力は100～1000Wまで設定可能。クリーニング対象に応じてストリップ/ディスカム用途から表面改質用途まで幅広く使用することができます
・薄膜基板上の酸化ニッケル、水酸化ニッケル等の無機質汚染も確実に除去
・ストリップレートは、最大7,000Å/分

■チャンバーデザイン電極から発生したプラズマは、穴が開いたグラウンドプレートを通り、ワーク表面へ到達します。これによりプラズマ中の電子 (-) を取り除き、ワークへのダメージを最小限に防ぐことができます。CMOSデバイスなどは、電子によるダメージがCV特性のずれの原因となります。CV200RFSのプラズマ処理により起こるCV特性のずれは、実質ゼロです。

■熱ダメージを最小化CV200RFSでは、プラズマ照射中のワークの温度はワークを載せるホットプレートにより高精度に制御されます。また、ワークの耐熱性に応じてプロセス中の温度リミットを設定することができ、プロセス中にワーク温度が設定値に達するとプラズマはOFFになります。従ってワークに設定値以上の熱負荷がかかることはありません。

この機能により、熱には弱いが長時間プラズマを照射する必要がある、ポリイミドのストリップやイオン注入されたフォトレジストのストリップ等の要求にも応えることができます。

型番
この商品には1種類の型番があります

シリーズ
プラズマストリッパー・デスカム装置 CV200RFS

取扱企業
ハイソル株式会社

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プラズマストリッパー・デスカム装置 CV200RFS 品番1件

商品画像	品番	価格 (税抜)	クリーン度	動作温度	温度安定性	冷却方式	チャンバーサイズ (約) W×D×H	本体サイズ (約) W×D×H	重量	キャパシティ	N2フローレート	プロセスガスフローレート	プロセスガス	マスフローコントローラ	ホットプレートエリア	レシピ数	スループット	ストリップレート	プラズマ照射時間	設定分解能	RFプラズマ	電源
	CV200RFS	要見積もり	Class 10	常温–250 ℃	< 10%	強制空冷	25×29×5 cm	61×109×114 cm	147kg	シングル　50–200mmウェハダブル　100mmウェハ	最大 1.7 SCFM	20–50 SCCM	4種	オプション　最大4個	最大 200mm ウェハ	12レシピ	1 ウェハ / 分	最大 7,000Å / 分	0–1,200 秒	1秒	40kHz, 100 – 1,000W	単相 200 – 250V, 20A, 50/60Hz