メモリ F-RAM (強誘電体メモリ)
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■概要FRAM (Ferroelectric Random Access MemoryまたはFeRAM：強誘電体RAM) はスタンドアロンの不揮発性メモリで、電源が遮断されても重要なデータを即時読み込み、保存できます。そのため、信頼性の高い制御やスループットが求められる高性能プログラマブルロジックコントローラー (PLC) 、または患者の生命力を向上させる患者監視装置のようなミッションクリティカルなデータロギングアプリケーションに最適です。

低消費電力でコンパクトに設計されたF-RAMは、スピードやエネルギー効率を犠牲にすることなく、即時不揮発性と事実上無制限の耐久性を提供します。

■主な特長・NoDelay™書き込み：ソークタイムなしのバス速度でメモリセルにデータを書き込み
・高耐久性：100兆回以上の書き込みサイクルでフローティングゲートメモリを上回る耐久性
・超低消費電力：消費電力はEEPROMの200分の1、NORフラッシュの3,000分の1
・耐放射線性：ビットの反転を引き起こす放射線によるソフトエラーに耐性

型番
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シリーズ
メモリ F-RAM (強誘電体メモリ)

取扱企業
インフィニオンテクノロジーズジャパン株式会社

カテゴリ

記憶装置

メモリIC

記憶装置

強誘電体メモリ

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フラッシュメモリ

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Capacity GB

1 - 10 10 - 100 100 - 500 500 - 1,000 1,000 - 2,000

Speed MB/s

0 - 100 100 - 500 500 - 1,000 1,000 - 2,000

Voltage V

1 - 1.2 1.2 - 1.4 1.4 - 1.6 1.6 - 2

シーケンスパフォーマンス読み取り MB/s

0 - 100 100 - 200 200 - 600 600 - 1,000 1,000 - 2,000

シーケンスパフォーマンス書き込み MB/s

0 - 100 100 - 400 400 - 500 500 - 800 800 - 1,700

容量 GB

0 - 1 1 - 10 10 - 200 200 - 300 300 - 600 600 - 1,100 1,100 - 2,100

消費電力(最大) mA

0 - 100 100 - 200 200 - 400 400 - 600 600 - 800

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インフィニオンテクノロジーズは、パワーシステムとIoT における半導体分野のグローバルリーダーであり、製品とソリューションを通じて、脱炭素化とデジタル化を推進しています。全世界で約56,200 人の従業員を擁し、2022...

本社所在地: 東京都

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