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高速結晶成長＆高品質結晶成長 両立させる唯一のラジカル源 高密度ラジカル源 HDRS-114-HDRS-114
高速結晶成長＆高品質結晶成長 両立させる唯一のラジカル源 高密度ラジカル源 HDRS-114-株式会社片桐エンジニアリング

高速結晶成長＆高品質結晶成長 両立させる唯一のラジカル源 高密度ラジカル源 HDRS-114
株式会社片桐エンジニアリング

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この製品について

従来のラジカル源にはない、ハイブリッドプラズマ源を採用。従来品比100倍のラジカル供給を達成。超高真空の用途に対応したタイプです。 より良いプラズマ源を実現させるため、プラズマ科学の基礎に立ち返る

■窒素分子が原子ラジカルになるプロセスを正しく理解する

窒素分子は電子衝突によりプラズマ状態に励起され、その後、基底状態の原子ラジカルに落ち着きます。

■ポイント

窒素分子をプラズマ状態に励起するには、約14evの工ネルギーが必要です。

■正しく理解したプラズマ科学で、プラズマ源を見直してみる

全てのラジカル源はICPプラズマ源を搭載しています。ICPプラズマ源は電子密度のピーク値は電子温度の低い領域 (2eV) にあります。窒素分子をプラズマ状態にする為に必要な領域 (14eV) では、殆ど無くなっています。 一方、半導体機器で一般的に用いられるプラズマ源にCCPプラズマ源がありますが、ICPプラズマ源と比較して電子温度の比較的高い領域 (14eV) においても、そのピーク値と比較して半分程度の電子が存在しており、ICPプラズマ源とは異なった特性を示す事が分かっています。

■ポイント

窒素分子をプラズマ状態に解離させる事にフォーカスすると、必要なエネルギー領域において、ICPプラズマ源では電子が殆ど存在しないので、従来のプラズマ源では窒素分子を十分にブラズマに出来ていない、と考えられます。

■正しく理解したプラズマ科学を、プラズマ源に反映させる

ICPとCCPプラズマ源が異なる特性を持つ事を踏まえて、各々の特徴を最大限に生かした、オリジナルのハイブリッドプラズマ構造を持つプラズマ源を開発しました。

■ICPプラズマ源の放電条件、及び特性

・圧力1~40Pa、プラズマ密度～約10^11cm-3、電子温度 2~4eV ・ドーナツ効果により、コイル近傍に沿ってプラズマ領域が形成される。

■CCPプラズマ源の放電条件、及び特性

・圧力 10~1,000Pa、高周波パワー 20~200W、プラズマ密度~約10^10cm-3 ・高周波電極近傍にシース領域が形成され、自己バイアスで加速される。電子温度は4eV以上。

■ポイント

ICPとCCPをハイブリット化した、これまでにない新しいプラズマ源です。

  • シリーズ

    高速結晶成長＆高品質結晶成長 両立させる唯一のラジカル源 高密度ラジカル源 HDRS-114

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高速結晶成長＆高品質結晶成長 両立させる唯一のラジカル源 高密度ラジカル源 HDRS-114 品番1件

商品画像 品番 価格 (税抜) 取付フランジ
高速結晶成長＆高品質結晶成長 両立させる唯一のラジカル源 高密度ラジカル源 HDRS-114-品番-HDRS-114

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この商品の取り扱い会社情報

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  • 本社所在地: 神奈川県
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