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無機粉末材料 リン材料 リン化インジウム (InP) 粉末-リン化インジウム (InP) 粉末
無機粉末材料 リン材料 リン化インジウム (InP) 粉末-XI'AN FUNCTION MATERIAL GROUP CO.,LTD

無機粉末材料 リン材料 リン化インジウム (InP) 粉末
XI'AN FUNCTION MATERIAL GROUP CO.,LTD



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この製品について

■特性

リン化インジウム (InP) は、インジウムとリンからなる二成分半導体である。それは、GaAsとほとんどのIII-V半導体と同一のFace-Centered Cubic (Zincblende ') の結晶構造を持っています。

■申し込み

INPは、より一般的な半導体シリコンおよびガリウム砒素に対するその優れた電子速度のために、高出力および高周波電子機器で使用されている。それを604GHzで動作させることができる記録疑似ヘテロ接合バイポーラトランジスタを製造するために、インジウムガリウム砒素と共に使用された。それはまた直接バンドギャップを持っています、それはレーザーダイオードのようなオプトエレクトロニクスデバイスに役立ちます。 INPは、エピタキシャルインジウムガリウム砒素ベースの光電子デバイスの基板としても使用されている。

  • シリーズ

    無機粉末材料 リン材料 リン化インジウム (InP) 粉末

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無機粉末材料 リン材料 リン化インジウム (InP) 粉末 品番1件

商品画像 品番 価格 (税抜) CAS 分子式 純度 仕様 EINECS No. モル質量 外観 密度 融点 溶解度 バンドギャップ 電子移動度 熱伝導率 屈折率 (ND) クリスタル構造
無機粉末材料 リン材料 リン化インジウム (InP) 粉末-品番-リン化インジウム (InP) 粉末

リン化インジウム (InP) 粉末

要見積もり

22398-80-7

InP

100.00%

-100メッシュ

244-959-5

145.792 g / mol

ブラックキュービッククリスタル

4.81 g / cm^3、 個体

1,062℃ (1,944°F; 1,335K)

酸にわずかに溶解した

1.344 EV (300 K;直接)

5,400 cm 2 / (V・s) (300 K)

0.68 W / (cm・k) (300 K)

3.1 (赤外線) 。3.55 (632.8 nm)

亜鉛ブレンデ

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