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XCSW製 化合物・半導体結晶 SiCウェハ・エピタキシャル基板取扱企業
株式会社トゥーリーズMetoree経由で見積もり
2024年11月18日にレビュー済み
顧客対応への満足度
今回は残念ながら取引には至りませんでしたが丁寧な対応で好感が持てました。
初回対応までの時間への満足度
1.49時間
| 商品画像 | 品番 | 価格 (税抜) | 格子定数 | スタッキングシーケンス | バンドギャップ (eV) | 密度 (kg.m³) | 熱膨張係数 (K) | 熱伝導率 (W/mK) | 屈折率 | 誘電率 | 絶縁破壊電解強度 (V/m) | 飽和ドリフト速度 (m/s) | 電子移動速度 (V.S) | ホール移動速度 (V.S) | モース硬度 | グレード | ポリタイプ | 直径 (mm) | 厚さ (um) | キャリアタイプ | ドーパント | 比抵抗 (Ω·cm) | 表面粗さ | FWHM (arcsec) | マイクロ欠陥密度 (cm⁻²) | 面方位 | OFF軸 | プライマリーフラット | プライマリーフラット (mm) | セカンダリーフラット | セカンダリーフラット長 (mm) | 表面仕上げ | 有効径 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SiCウェハ/4H |
要見積もり |
a=3.076Å |
ABCB |
3.26 |
3.21^10³ |
4~5x10⁻⁶ |
490 |
no=2.719 |
9.6 |
2~4^10⁸ |
20^10⁵ |
800cm² |
115cm² |
~9 |
- | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | |
|
|
SiCウェハ/6H |
要見積もり |
a=3.073Å |
ABCACB |
3.03 |
3.21^10³ |
4~5x10⁻⁶ |
490 |
no=2.707 |
9.66 |
2~4^10⁸ |
20^10⁵ |
400cm² |
90cm² |
~9 |
- | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | |
|
|
6H-Nタイプ2"SiC |
要見積もり | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
量産 |
6H |
50.8±0.38 |
250/330/430 |
N |
窒素 |
0.02~0.1 |
<0.5nm (Si面CMP研磨) |
量産:<30 |
量産:≦1,≦10 |
<0001>±0.5° |
3.5°向け<11-20>±0.5° |
<1-100>±5° |
16±1.7 |
Si面90° |
8±1.7 |
片面or両面研磨 |
中心から90% |
|
|
|
2"4H-SiC 半絶縁体orNタイプ |
要見積もり | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
量産 |
4H |
50.8±0.38 |
250/330/430 |
N or 半絶縁体 |
窒素 (Nタイプのみ) |
半絶縁体：>1E5 |
<0.5nm (Si面CMP研磨) |
量産:<30 |
量産:≦1⁻²,≦10 |
<0001>±0.5° |
3.5°向け<11-20>±0.5° |
<1-100>±5° |
16±1.7 |
Si面90° |
8±1.7 |
片面or両面研磨 |
中心から90% |
|
|
|
3"4H-SiC 半絶縁体orNタイプ |
要見積もり | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
量産 |
4H |
76.2±0.38 |
350/430±25um |
N or 半絶縁体 |
Nタイプ：窒素 |
半絶縁体：>1E5 |
<0.5nm (Si面CMP研磨) |
量産: <30 |
量産: ≦1,≦10cm⁻² |
<0001>±0.5° |
4°又は8°向け<11-20>±0.5° |
Nタイプ:<1-100>±5° |
22.22±3.17 |
Si面90° |
11±1.7mm |
片面or両面研磨 |
中心から90% |
