XCSW製化合物・半導体結晶エピタキシャルSiウェハ-Si on Si-Si on Si

XCSW製化合物・半導体結晶エピタキシャルSiウェハ-Si on Si
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この製品について

高濃度/低濃度ドープどちらでも対応可能なウェハーです。IC、ダイオード、ソーラー電池などに適したSiです。

■XCSW社XCSW社は1990年中国アモイで設立した化合物半導体材料企業です。Ga,Al,In,As,PをベースにしたⅢ-Ⅴ族シリコンドープn型半導体上に、第1世代Geウェハ、第2世代ガリウムひ素を基板成長エピタキシャル技術を開発しました。現在はMBE又はMOCVDによってLED,パワーデバイス用SiCやGaNを取り扱っております。

■特徴・シリコンウェハ基板上に他の添加物や多結晶シリコンを膜付けさせたSiウェハです。
・シリコン基板上に別の単結晶又は多結晶シリコン層を成膜させたウェハー。基板の結晶構造を継続しつつ、正確なドーピング濃度に堆積いたします。

型番
この商品には1種類の型番があります

シリーズ
XCSW製化合物・半導体結晶エピタキシャルSiウェハ-Si on Si

取扱企業
株式会社トゥーリーズ

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2024年12月5日にレビュー済み

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今回は残念ながら取引には至りませんでしたが丁寧な対応で好感が持てました。

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XCSW製化合物・半導体結晶エピタキシャルSiウェハ-Si on Si 品番1件

商品画像	品番	価格 (税抜)	育成法	直径	厚さ	ドーパント/th>	導電型	面方位	比抵抗	RPG	プライマリーフラット長	プライマリーフラット方位	研磨	エピタキシャル層仕様:構造	エピタキシャル層仕様:ドーパント	エピタキシャル層仕様:エピ厚み	エピタキシャル層仕様:均一性	エピタキシャル層仕様:測定位置	エピタキシャル層仕様:比抵抗	エピタキシャル層仕様:キズ・チッピング	エピタキシャル層仕様:パーティクル
	Si on Si	要見積もり	CZ	150mm	625um	As	N	-100	≦0.005Ω.cm	≦15%	55~60mm	<110>	片面鏡面研磨	N/N+	Phos	3±2um	5%以下	中心から1mm,端から4mm 4点から90度	2.5±0.2Ω.cm	無し	≦30 at 0.3um