全てのカテゴリ

閲覧履歴

XCSW製 化合物・半導体結晶 エピタキシャルSiウェハ-Si on Si-Si on Si
XCSW製 化合物・半導体結晶 エピタキシャルSiウェハ-Si on Si-株式会社トゥーリーズ

XCSW製 化合物・半導体結晶 エピタキシャルSiウェハ-Si on Si
株式会社トゥーリーズ

株式会社トゥーリーズの対応状況

返信のとても早い企業 評判のとても良い企業

返答率

100.0%

返答時間

0.9時間


無料
見積もり費用は無料のため、お気軽にご利用ください

電話番号不要
不必要に電話がかかってくる心配はありません

この製品について

高濃度/低濃度ドープどちらでも対応可能なウェハーです。IC、ダイオード、ソーラー電池などに適したSiです。

■XCSW社

XCSW社は1990年中国アモイで設立した化合物半導体材料企業です。Ga,Al,In,As,PをベースにしたⅢ-Ⅴ族シリコンドープn型半導体上に、第1世代Geウェハ、第2世代ガリウムひ素を基板成長エピタキシャル技術を開発しました。現在はMBE又はMOCVDによってLED,パワーデバイス用SiCやGaNを取り扱っております。

■特徴

・シリコンウェハ基板上に他の添加物や多結晶シリコンを膜付けさせたSiウェハです。 ・シリコン基板上に別の単結晶又は多結晶シリコン層を成膜させたウェハー。基板の結晶構造を継続しつつ、正確なドーピング濃度に堆積いたします。

  • シリーズ

    XCSW製 化合物・半導体結晶 エピタキシャルSiウェハ-Si on Si

企業レビュー

レビューは全てメトリー経由で実際に見積もりをしたユーザーによるものです

5.0

評判がとても良い

5
100.0%
4
0.0%
3
0.0%
2
0.0%
1
0.0%

2024年12月5日にレビュー

今回は残念ながら取引には至りませんでしたが丁寧な対応で好感が持てました。

初回返答までの時間・1.49時間

この製品を共有する


130人以上が見ています


返答率: 100.0%

返答時間: 0.9時間


無料
見積もり費用は無料のため、お気軽にご利用ください

電話番号不要
不必要に電話がかかってくる心配はありません

見積もりの使い方

XCSW製 化合物・半導体結晶 エピタキシャルSiウェハ-Si on Si 品番1件

商品画像 品番 価格 (税抜) 育成法 直径 厚さ ドーパント/th> 導電型 面方位 比抵抗 RPG プライマリーフラット長 プライマリーフラット方位 研磨 エピタキシャル層仕様:構造 エピタキシャル層仕様:ドーパント エピタキシャル層仕様:エピ厚み エピタキシャル層仕様:均一性 エピタキシャル層仕様:測定位置 エピタキシャル層仕様:比抵抗 エピタキシャル層仕様:キズ・チッピング エピタキシャル層仕様:パーティクル
XCSW製 化合物・半導体結晶 エピタキシャルSiウェハ-Si on Si-品番-Si on Si

Si on Si

要見積もり

CZ

150mm

625um

As

N

-100

≦0.005Ω.cm

≦15%

55~60mm

<110>

片面鏡面研磨

N/N+

Phos

3±2um

5%以下

中心から1mm,端から4mm
4点から90度

2.5±0.2Ω.cm

無し

≦30 at 0.3um

この商品の取り扱い会社情報

返答率

100.0%


返答時間

0.9時間


企業レビュー

5.0

会社概要

株式会社トゥーリーズは、各種単結晶類・マテリアル、化合物ソーラーセル、光学機器などの輸入販売を行っている専門商社です。 2016年に設立された小規模企業ですが、小規模ゆえに顧客ニーズにフレキシブルに対応していることが特...

もっと見る

  • 本社所在地: 神奈川県
Copyright © 2025 Metoree